文献

J-GLOBAL ID：201802222144737167   整理番号：18A1699624

ベイズ最適化を用いたSiC研削条件の探索

著者 (16件)： 長田圭一 (名大 院) ,  長田圭一 (名大 未来研) ,  角岡洋介 (名大 院) ,  角岡洋介 (名大 未来研) ,  角岡洋介 (産総研 GaN-OIL) ,  成田潔 (ニートレックス) ,  小泉晴比古 (名大 院) ,  小泉晴比古 (名大 未来研) ,  沓掛健太朗 (名大 未来機構) ,  原田俊太 (名大 院) ,  原田俊太 (名大 未来研) ,  田川美穂 (名大 院) ,  田川美穂 (名大 未来研) ,  宇治原徹 (名大 院) ,  宇治原徹 (名大 未来研) ,  宇治原徹 (産総研 GaN-OIL)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.20p-221C-10  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  Bayes推定 ,  最適化 ,  *研削 ,  *加工条件 ,  機械学習 ,  研削砥石 ,  材料 ,  加工速度 ,  表面粗さ ,  基板 ,  Bayes最適化 ,  結合剤【研削砥石】 ,  *炭化ケイ素基板 ,  改変

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (4件)： ベイズ最適化 ,  SiC ,  研削 ,  探索