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J-GLOBAL ID:201802222232788294   整理番号:18A1378312

P-8:トップIGZO層を持つa-IGZO TFTにおける有効チャネル長の解析【JST・京大機械翻訳】

P-8: The Analysis of Effective Channel Length in a-IGZO TFTs with the Top IGZO layer
著者 (6件):
資料名:
巻: 49  号:ページ: 1215-1218  発行年: 2018年 
JST資料番号: E0907A  ISSN: 0097-966X  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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a-IGZO単層と二層の有効チャネル長(L_eff)を調べた。I-V曲線において,ドレイン誘起障壁低下(DIBL)現象は単一層では激しいように見えたが,Bi層では比較的改善された。これに基づいて,伝送線路法(TLM)を通して有効チャネル長を決定し,Bi層の有効チャネル長が長いことを確認した。3.5から8.5μmまでの各設計長さに対する閾値電圧変化は,Bi層においても小さかった。XPS分析の結果は,これがTiによる酸素分解に起因することを示した。Gaに富む上部層を持つBi層では,酸素分解現象による高伝導領域が減少した。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
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トランジスタ 
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