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J-GLOBAL ID：201802222299488564   整理番号：18A1510378

2.5Dパッケージングにおけるエレクトロマイグレーションの実験的および数値的研究【JST・京大機械翻訳】

The Expermental and Numerical Study of Electromigration in 2.5D Packaging

著者 (7件)： Xu Jiefeng ,  Niu Yuling ,  Cain Stephen R. ,  McCann Scott ,  Lee Ho Hyung ,  Refai-Ahmed Gamal ,  Park S.B.
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ECTC  ページ： 483-489  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,共晶SnPbはんだを用いたフリップチップパッケージにおけるボールのエレクトロマイグレーション(EM)実験を行った。試験車両は,トレース間の2つのタイプのボールグリッドアレイ(BGA)相互接続を持っていた。パッケージは7Aと10Aの電流で125°Cと150°Cの周囲温度でストレスをかけた。試験構造の電圧と平均温度をリアルタイムで測定した。2つのタイプの異なるマイクロ電気構造がEM挙動に大きな影響を及ぼすことが観察された。基板を介したBGAの破壊までの時間(TTF)はビアのないものより小さい。ビアによるBGAにおいて,EMによって誘発された故障は,ビアの近くのはんだボールで検出されたが,ビアのないBGAでは,それは,はんだボールの端部において見つけられた。破壊機構を理解し,TTFを予測するために,原子流束偏差(AFD)に基づく数値シミュレーションを行った。全ての場合,シミュレーションは10%以内で正確であった。空格子点の蓄積は,ビア構造を持たないBGAよりもBGAにおいて速く,ビアによるBGAにおける空孔濃度は,1000時間後に構造を経由しないBGAよりもほぼ5倍大きい。従って,構造によるBGAはEM故障のより大きな機会をもたらす。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エレクトロマイグレーション ,  相互接続 ,  電流 ,  共晶 ,  フリップチップ法 ,  故障 ,  はんだ ,  電圧 ,  鋳物 ,  シミュレーション
準シソーラス用語： 数値シミュレーション ,  破壊機構 ,  はんだバンプ ,  実時間 ,  周囲温度 ,  BGAパッケージ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： パッケージング ,  エレクトロマイグレーション ,  実験 ,  数値 ,  研究