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J-GLOBAL ID：201802222406630981   整理番号：18A1208968

PbS量子ドット太陽電池の効率改善のための界面工学による電荷移動と再結合の理解【JST・京大機械翻訳】

Understanding charge transfer and recombination by interface engineering for improving the efficiency of PbS quantum dot solar cells

著者 (10件)： Ding Chao (Faculty of Informatics and Engineering, The University of Electro-Communications, 1-5-1 Chofugaoka, Chofu, Tokyo 182-8585, Japan. [e-mail]) ,  Zhang Yaohong ,  Liu Feng ,  Kitabatake Yukiko ,  Hayase Shuzi ,  Toyoda Taro ,  Wang Ruixiang ,  Yoshino Kenji ,  Minemoto Takashi ,  Shen Qing
資料名： Nanoscale Horizons  (Nanoscale Horizons)
巻： 3  号： 4  ページ： 417-429  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2469A  ISSN： 2055-6764  CODEN： NHAOAW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 量子ドットヘテロ接合太陽電池(QDHSCs)において,QD活性層は太陽光を吸収し,光生成電子を電子輸送層(ETL)に移動させる。ETLの伝導帯最小(CBM)はQDのそれよりも低く,ETLを通してQDから収集電極(ここではFTO)への効率的な電荷移動を可能にすることが一般的に信じられている。しかしながら,PbS QDHSCsにおけるモデルETLとしてMgドープZnO(Zn_1-xMg_xO)を用いることにより,より低いCBMを有するETLがQDHSCsにおける効率的な電荷移動を実現するために必要でないことを見出した。Zn_1-xMg_xO ETLにおける浅い欠陥状態の存在は,付加的な電荷移動経路として役立つことができる。さらに,ETLとQD吸収体の間の伝導帯オフセット(CBO)は,QDHSCsにおける界面再結合に著しく影響することを初めて明らかにした。ETL/QD界面におけるバンド構造のスパイクが界面再結合を抑制し,開回路電圧を改善するのに有用であることを実証した。ZnO中のMgドーピングレベルを変化させることによって,ETL中のCBM,欠陥分布およびキャリア濃度を調整することができ,それは電荷移動および再結合,したがってデバイス性能において重要な役割を果たした。最適化されたZn_1-xMg_xO ETLに基づくPBS QDHSCsは,10.6%の高い電力変換効率を示した。これらの知見はQDベース太陽電池の光起電力性能を増強するための重要な指針を提供する。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 伝導バンド ,  *電荷移動 ,  *硫化鉛 ,  *界面 ,  *量子ドット ,  オフセット ,  *再結合 ,  活性層 ,  *太陽電池 ,  酸化亜鉛 ,  ドーピング ,  最適化
準シソーラス用語： 電力変換効率 ,  開回路電圧 ,  ヘテロ接合太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (8件)： PbS ,  量子ドット太陽電池 ,  効率改善 ,  界面 ,  工学 ,  電荷移動 ,  再結合 ,  理解