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J-GLOBAL ID：201802222546791258   整理番号：18A0526856

バリウム置換スクリーン印刷CaBi_2Nb_2O_9セラミック厚膜のマイクロ波誘電特性【Powered by NICT】

Microwave dielectric properties of barium substituted screen printed CaBi₂Nb₂O₉ ceramic thick films

著者 (5件)： Phadtare Varsha D. (Thick and Thin Film Device Laboratory, Department of Physics, Shivaji University, Kolhapur- 416004, Maharashtra, India) ,  Parale Vinayak G. (Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, Seoul 03722, South Korea) ,  Kulkarni Gopal K. (Thick and Thin Film Device Laboratory, Department of Physics, Shivaji University, Kolhapur- 416004, Maharashtra, India) ,  Park Hyung-Ho (Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, Seoul 03722, South Korea) ,  Puri Vijaya R. (Thick and Thin Film Device Laboratory, Department of Physics, Shivaji University, Kolhapur- 416004, Maharashtra, India)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 44  号： 7  ページ： 7515-7523  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,Aurivillius構造化Ba~2+置換CaBi_2Nb_2O_9(CBNO)セラミック粉末を共沈法により合成した。CBNO厚膜を共沈したセラミック粉末を用いたアルミナ基板上にスクリーン印刷法により描写した。オーバレイ法を採用して作製した厚膜のマイクロ波誘電特性を測定した。調製した厚膜の単相層状ペロブスカイト構造をX線回折により確認した。厚膜の表面形態,結合,およびマイクロ波誘電特性に及ぼすBa~2+置換の効果を系統的に提示した。11.8GHzでCBNO厚膜のマイクロ波誘電率の最大値はBa~2+=0.8置換のための15.6であった。CBNOにおけるBa~2+の置換を用いたRamanスペクトルにおけるNbO_6八面体のNb-O結合の伸縮振動モードのシフトが観察された。CBNOのAサイトのBa~2+の置換は,作製した厚膜のマイクロ波誘電特性を改善した。本研究では,Aurivillius構造化セラミック厚膜のマイクロ波誘電性能を高めるための新しいアプローチを提供するかもしれない。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： Ramanスペクトル ,  *厚膜 ,  *スクリーン印刷 ,  共沈 ,  誘電率 ,  X線回折 ,  構造形成 ,  *マイクロ波 ,  八面体 ,  単相
準シソーラス用語： 表面形態 ,  層状ペロブスカイト ,  アルミナ基板 ,  *マイクロ波誘電特性 ,  *セラミック厚膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： CaBi_2Nb_2O_9 ,  スクリーン印刷 ,  厚膜 ,  マイクロ波誘電特性

分類 (2件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (5件)： バリウム ,  置換 ,  スクリーン印刷 ,  セラミック厚膜 ,  マイクロ波誘電特性