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J-GLOBAL ID：201802222627589725   整理番号：18A2149232

反応性高出力パルスマグネトロンスパッタリング法により作製したO₂₀およびN₂を含むTiON膜の特性

Properties of TiON Films prepared by Reactive High Power Pulsed Magnetron Sputtering containing O₂ and N₂ gases

著者 (2件)： TANAKA T. (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  KIMURA T. (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
資料名： Proceedings of International Symposium on Dry Process  (Proceedings of International Symposium on Dry Process)
巻： 40th  ページ： 157-158  発行年： 2018年 
JST資料番号： Y0378B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *チタン化合物 ,  *酸化物 ,  *窒化物 ,  *薄膜成長 ,  *反応性スパッタリング ,  *マグネトロンスパッタリング ,  酸素 ,  窒素 ,  アルゴン ,  *混合気体 ,  チタン ,  ターゲット ,  *混合比 ,  可視光 ,  透過率 ,  成長速度 ,  基板温度 ,  電気抵抗率 ,  スペクトル ,  光透過 ,  反応ガス ,  透過スペクトル

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 反応性 ,  高出力 ,  パルス ,  マグネトロンスパッタリング ,  作製 ,  N2