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J-GLOBAL ID：201802222812124170   整理番号：18A0586773

FDSOI技術における超低電圧回路のためのボディバイアス発生器【Powered by NICT】

Body bias generators for ultra low voltage circuits in FDSOI technology

著者 (3件)： Justo Diego (Dpt. of Electronic Engineering, Universitat Polite`cnica de Catalunya, Barcelona) ,  Cavalheiro David (Dpt. of Electronic Engineering, Universitat Polite`cnica de Catalunya, Barcelona) ,  Moll Francesc (Dpt. of Electronic Engineering, Universitat Polite`cnica de Catalunya, Barcelona)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： DCIS  ページ： 1-6  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超低電圧(300mV以下)で駆動電子回路はそれらの低エネルギーと電力消費のための望ましい。しかし,このような低電源電圧での性能は大幅に低下する。FDSOI技術,基板バイアス電圧の広い範囲を回路に順方向ボディバイアスを印加することにより性能損失を減少することができた。チャージポンプ回路をチップ上に集積した正と負の基板バイアス電圧を生成するために用いることができる。+1/ 1V以上のボディバイアス電圧に達するのに300mVで動作するこのような回路の設計における主要な課題を研究Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電子回路 ,  *電圧 ,  電力消費
準シソーラス用語： チャージポンプ回路 ,  電源電圧 ,  低エネルギー ,  再生器 ,  *基板バイアス ,  *低電圧 ,  *FDSOI , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 電源回路  (NC05060Q) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： FDSOI ,  ボディバイアス ,  発生器