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J-GLOBAL ID：201802222892161104   整理番号：18A0615089

非還元性と巨大誘電率を持つ新規なすずをドープしたBaTiO_3セラミック【Powered by NICT】

Novel tin-doped BaTiO₃ ceramics with non-reducibility and colossal dielectric constant

著者 (5件)： Li Lingxia (School of Microelectronics and Key Laboratory for Advanced Ceramics and Machining Technology of Ministry of Education, Tianjin 300072, China) ,  Wang Ruijie (School of Microelectronics and Key Laboratory for Advanced Ceramics and Machining Technology of Ministry of Education, Tianjin 300072, China) ,  Yu Shihui (School of Microelectronics and Key Laboratory for Advanced Ceramics and Machining Technology of Ministry of Education, Tianjin 300072, China) ,  Sun Zheng (School of Microelectronics and Key Laboratory for Advanced Ceramics and Machining Technology of Ministry of Education, Tianjin 300072, China) ,  Zheng Haoran (School of Microelectronics and Key Laboratory for Advanced Ceramics and Machining Technology of Ministry of Education, Tianjin 300072, China)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 220  ページ： 119-121  発行年： 2018年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非還元と巨大誘電率を持つ新規BaTiO_3ベースセラミックはSnイオンのドーピングによる通常の固相法による合成に成功した。電気測定から,SnドープBaTiO_3セラミックスは優れた誘電および非還元特性を示すことが分かった。空気中で焼結したSnドープBaTiO_3セラミックスと比較して,誘電率,損失正接,および絶縁抵抗はほぼH_2 N_2中で焼結した試料の変化を持っていない。H_2 N_2中で焼結したSnドープBaTiO_3セラミックは巨大誘電率(1.2 × 10~4@1 kHz),低損失正接(1kHzで~1.0%),許容可能な絶縁抵抗(4.5 × 10~10 Ω cm)を示した。抗減少と巨大誘電定数の機構を提案した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： イオン ,  絶縁抵抗 ,  *還元性 ,  電気測定 ,  固相 ,  損失正接 ,  *ドーピング ,  *誘電率 ,  焼結 ,  *セラミック ,  *スズ ,  電気的性質 ,  忍容性
準シソーラス用語： 許容性 ,  *巨大誘電率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： セラミックス ,  Dielectrics ,  電気的性質 ,  焼結

分類 (4件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  誘電体一般  (BM05010F) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 還元性 ,  巨大誘電率 ,  すず ,  ドープ ,  セラミック