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J-GLOBAL ID:201802222893251498   整理番号:18A0331659

強磁性体/絶縁体/半導体ハイブリッド構造における磁場に駆動された電子輸送【Powered by NICT】

Magnetic-field-driven electron transport in ferromagnetic/ insulator/semiconductor hybrid structures
著者 (9件):
資料名:
巻: 440  ページ: 140-143  発行年: 2017年 
JST資料番号: H0644A  ISSN: 0304-8853  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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非常に大きな磁気輸送現象はMe/SiO_/p Siハイブリッド構造(Meは,MnとFe)を基に作製した簡単なデバイスで見られた。これらの効果は,巨大磁気インピーダンス(MI),dc磁気抵抗(MR)と横方向磁気光起電力(LMPE)を含んでいる。MIとMR値は,Mn/SiO_/p Si Schottkyダイオードの約0.2T磁場中で10~6%を超えていた。鉄_/p Si横型デバイスで観察されたLMPEは1Tの磁場で10~4%の値に達した。Schottkyダイオードを用いた場合におけるMRとMI効果を二つの異なる方法で衝突イオン化過程に及ぼす磁場の影響に起因するであると信じている。最初に,電子の軌跡は磁場,運動エネルギーの獲得を抑制し,従ってイオン化に影響するにより偏向される。第二に,磁場は,より高いエネルギーへのシリコン中のアクセプタエネルギー準位のシフトを生じさせた。その結果,衝突イオン化の活性化エネルギーは顕著に増加し,その結果閾値電圧は上昇した。さらに,第二の機構(磁場におけるアクセプタ準位エネルギー)は巨大LMPEの原因である。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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金属の磁区及び磁化過程  ,  酸化物結晶の磁性 
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