位相アンテナアレイと集積したHf_xZr_1-xO_2強誘電体に基づく低電圧移相器【JST・京大機械翻訳】

Dragoman M.; Aldrigo M.; Iordanescu S.; Modreanu M.; Povey I.; Vasilache D.; Dinescu A.; Romanitan C.

文献

J-GLOBAL ID：201802222946227995 整理番号：18A2164299

位相アンテナアレイと集積したHf_xZr_1-xO_2強誘電体に基づく低電圧移相器【JST・京大機械翻訳】

Low-Voltage Phase Shifters Based on Hf_xZr_1-xO₂ Ferroelectrics Integrated with Phased Antenna Arrays

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資料名：
巻： 2018 号： EuMC ページ： 950-953 発行年： 2018年
JST資料番号： W2441A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

本論文では,±1Vの非常に低い電圧でビームステアリング能力を達成するために,2素子アンテナアレイと集積した強誘電体移相器の設計,製作およびマイクロ波実験特性化を示した。移相器は,Zrドープ強誘電体二酸化ハフニウム(Hf_xZr_1-xO_2)薄膜上に堆積した交差指型金属キャパシタから成り,高抵抗シリコン(HR Si)上に直接成長させた。位相シフタは2.55GHzで53.74°の最大位相シフトを示し,-1Vと+1Vの間のDC電圧を掃引した。小型化フェイズドアレイは,2つの金パッチアンテナ,移相器および付加回路の形で,すべて,HfxZr_1-xO_2/HR Si 4インチウエハ上に集積した。2.55GHzにおける放射ビームは,7nm厚の強誘電体が±1Vでバイアスされたとき,25°になる。これらの新しいマイクロ波デバイスは,将来の5G技術のための低電圧可変同調マイクロ波部品の実現における一歩を示す。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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音声処理 , 符号理論 , 専用演算制御装置

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