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J-GLOBAL ID：201802223116656449   整理番号：18A0161894

0.13μm SiGe BiCMOS技術におけるDバンド電力増幅器の設計と線形解析【Powered by NICT】

Design and linearity analysis of a D-band power amplifier in 0.13 μm SiGe BiCMOS technology

著者 (5件)： Hu Z. (Electronic Research Laboratory, Delft University of Technology, Mekelweg 4, 2628CD Delft, The Netherlands) ,  Sarris G. (Electronic Research Laboratory, Delft University of Technology, Mekelweg 4, 2628CD Delft, The Netherlands) ,  De Martino C. (Electronic Research Laboratory, Delft University of Technology, Mekelweg 4, 2628CD Delft, The Netherlands) ,  Spirito M. (Electronic Research Laboratory, Delft University of Technology, Mekelweg 4, 2628CD Delft, The Netherlands) ,  McCune E. (Electronic Research Laboratory, Delft University of Technology, Mekelweg 4, 2628CD Delft, The Netherlands)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： CSICS  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2段階Dバンド差動カスコード電力増幅器を提示し,IHP0.13pm SiGe BiCMOS技術を用いて統合した。カスコード段のコンパクトなレイアウトを,潜在的な不安定性に寄与する寄生容量を最小化するために提案した,f_Tの46%で動作するが,利得/段階の13dBを達成し,段階ピークを使用することである。PAは増幅器は大きく減少供給とバイアスで動作可能であることを示すブース図技術を用いて解析した直線性ダイナミックレンジを維持した。作製したプロトタイプは26dB全利得につき,それぞれ0.2dBm,6.2dBm,25.5dBmのP1dB,Psat,IIP2を達成した。PAのAM-PM変換を実験的に10GHzの帯域幅で±1.5°以下の位相変動を示し特性化した。さらに,0.4V電源変動を40dBの入力パワー範囲で電力利得1dBの偏差を示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 位相変動 ,  バイアス ,  *増幅器 ,  漂遊容量 ,  線形性 ,  不安定性 ,  プロトタイプ ,  キャラクタリゼーション ,  ダイナミックレンジ ,  *電力増幅器 ,  帯域幅 ,  利得
準シソーラス用語： カスコード ,  *線形解析 ,  *Dバンド , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 増幅回路  (NC05040U) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiGe ,  BiCMOS ,  Dバンド ,  電力増幅器 ,  設計 ,  線形解析