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J-GLOBAL ID：201802223770031582   整理番号：18A0941189

高温での残留水素結合相互作用により促進されたシリカの結晶化【JST・京大機械翻訳】

Crystallization of silica promoted by residual hydrogen bonding interactions at high temperature

著者 (6件)： Zhang Xiaojiao (College of Polymer Science and Engineering, State Key Laboratory of Polymer Material and Engineering, Sichuan University, Chengdu 610065, People’s Republic of China. [e-mail] [e-mail]) ,  Liu Yang ,  Lai Wenchuan ,  Wang Zaoming ,  Xu Wang ,  Liu Xiangyang
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 20  号： 18  ページ： 12827-12834  発行年： 2018年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリカと高度にフッ素化したグラフェンの複合材料を比較的低温で焼成することにより,結晶性シリカを調製する新しい方法を実証した。グラフェンとその誘導体(種々のフッ素化度を有するグラフェン,グラフェン酸化物およびグラフェン)を有するシリカおよびその複合材料を合成し,次に空気雰囲気中で900°Cで焼成した。X線回折(XRD)とFourier変換赤外(FTIR)分光法の結果は,クリストバライトが比較的低温(900°C)で大気下でシリカと高フッ素化グラフェンのか焼複合体を通して生成されたが,シリカとグラフェンとその誘導体の複合材料では,焼成生成物はすべて非晶質であることを明らかにした。熱重量分析結果は,空気温度での高フッ素化グラフェンにおける官能基の最大分解温度が457°Cであることを示した。これは,中程度のフッ素化グラフェン,低フッ素化グラフェンおよびグラフェン酸化物(411.3°C,313.4°Cおよび238.9°C)より高い。高フッ素化グラフェンの高分解温度は高温での強い残留水素結合相互作用に寄与する。FTIRの結果は,シリカと高度にフッ素化したグラフェンの複合材料における多くの残留水素結合相互作用が,より高い温度で十分な線形構造をもたらすことを示した。結果として,シリカと高度にフッ素化されたグラフェンの複合材料における高温でのより強い残留水素結合相互作用は,Si-OH基の自己縮合を抑制し,結晶構造の形成を促進する。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 熱重量分析 ,  結晶構造 ,  複合材料 ,  フッ素化 ,  FTIR分光法 ,  *二酸化ケイ素 ,  X線回折 ,  非晶質 ,  低温 ,  *水素結合 ,  グラフェン ,  *高温 ,  *結晶化 ,  分解温度
準シソーラス用語： 酸化グラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (5件)： 残留 ,  水素結合相互作用 ,  促進 ,  シリカ ,  結晶化