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J-GLOBAL ID：201802223987141268   整理番号：18A1210923

多重積層ハイブリッドP/N/Pナノシート層無接合電界効果トランジスタ【JST・京大機械翻訳】

Multi-stacking hybrid P/N/P nanosheet layers junctionless field-effect transistors

著者 (5件)： Li Hui-Hsuan (Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, Hsinchu 30013, Taiwan) ,  Lin Yu-Ru (Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, Hsinchu 30013, Taiwan) ,  Wu Yung-Chun (Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, Hsinchu 30013, Taiwan) ,  Lin Yu-Hsien (Department of Electronic Engineering, National United University, Miaoli 36003, Taiwan) ,  Yu Jia-Jyun (Department of Electronic Engineering, National United University, Miaoli 36003, Taiwan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ISNE  ページ： 1-3  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究は,ハイブリッドポリSiナノシートチャネル接合レス(JL)電界効果トランジスタ(FET)を実証した。ハイブリッドP/N/P二重ナノシートチャネルJL-FFTは,高いI_オン/I_オフ電流比(>10~7),サブ閾値スイング(176mV/dec),および小さなDIBL(13mV/V)に関して優れた電気性能を示した。これらの特性は,チャネル/基板/チャネル接合によって決定された有効チャネル厚さを低減することによって達成される。さらに,この積層ハイブリッドP/N/P二重ナノシートチャネルJL-FETは,高密度3D積層IC応用の有望な候補である。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *多層膜 ,  チャネル ,  *FET【トランジスタ】 ,  ポリシリコン ,  三次元 ,  *ナノシート ,  電気特性 ,  *接合
準シソーラス用語： 高密度 ,  DIBL ,  サブ閾値スイング ,  オフ電流 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 多重積層 ,  シート層 ,  電界効果トランジスタ