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J-GLOBAL ID：201802223990558884   整理番号：18A0715746

非磁性元素をドープしたSnS_2単分子層の電子的および磁気的性質【JST・京大機械翻訳】

Electronic and magnetic properties of SnS₂ monolayer doped with non-magnetic elements

著者 (4件)： Xiao Wen-Zhi (School of Science, Hunan Institute of Engineering, Xiangtan 411104, China) ,  Xiao Gang (School of Science, Hunan Institute of Engineering, Xiangtan 411104, China) ,  Rong Qing-Yan (School of Science, Hunan Institute of Engineering, Xiangtan 411104, China) ,  Wang Ling-Ling (School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha 410082, China)
資料名： Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures  (Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures)
巻： 99  ページ： 182-188  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1066A  ISSN： 1386-9477  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第一原理法に基づいて,IA,IIAおよびIIIA群における非磁性元素をドープしたSnS_2単分子層の電子構造および磁気特性の系統的研究を行った。ドープした系はドーピング元素に依存して半金属的で金属的性質を示した。磁気モーメントの形成はHund則結合と正孔濃度の協同効果に起因する。正孔ドープSnS_2単分子層における二軸引張歪により非局在化不純物状態を閉じ込めることにより,スピン分極を安定化し,増強することができた。二重交換とp-p交換機構の両方が,これらの正孔ドープ材料における強磁性基底状態の原因である。著者らの結果は,スピン分極が,非磁性ドーピングと引張歪によってSnS_2単分子層中に誘起され,制御され得ることを実証した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 半金属 ,  協同現象 ,  *ドーピング ,  磁気モーメント ,  正孔 ,  Hund則 ,  不純物準位 ,  *単分子層 ,  強磁性 ,  基底状態 ,  第一原理 ,  スピン分極
準シソーラス用語： 非局在化 ,  引張歪 ,  *非磁性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： SnS_2単層 ,  電子構造 ,  磁気的性質 ,  ドーピング ,  第一原理

分類 (5件)： 酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  分子の電気的・磁気的性質  (BH05032U)

タイトルに関連する用語 (6件)： 非磁性 ,  元素 ,  ドープ ,  単分子層 ,  電子 ,  磁気的性質