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J-GLOBAL ID：201802224054389015   整理番号：18A0968457

CsPbI_3-黒リンvan der Waalsヘテロ構造の界面工学【JST・京大機械翻訳】

Interface engineering of CsPbI₃-black phosphorus van der Waals heterostructure

著者 (4件)： Liu Biao (Hunan Key Laboratory for Super-Microstructure and Ultrafast Process, School of Physics and Electronics, Central South University, Changsha 410083, Hunan, China) ,  Long Mengqiu (Hunan Key Laboratory for Super-Microstructure and Ultrafast Process, School of Physics and Electronics, Central South University, Changsha 410083, Hunan, China) ,  Cai Meng-Qiu (School of Physics and Electronics Science, Hunan University, Changsha 410082, Hunan, China and Synergetic Innovation Center for Quantum Effects and Applications (SICQEA), Hunan Normal University, Changsha 410081, China) ,  Yang Junliang (Hunan Key Laboratory for Super-Microstructure and Ultrafast Process, School of Physics and Electronics, Central South University, Changsha 410083, Hunan, China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 112  号： 4  ページ： 043901-043901-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 界面工学は半導体ヘテロ構造における構造的および電気的性質を調整するための効果的なルートである。二種類の典型的なvan der Waals(vdW)型電気接点,すなわち,CsPbI_3-BPヘテロ構造におけるPb-I界面の電気接触と黒色リン(BP)単分子層とのCs-I界面を第一原理計算により研究した。CsPbI_3スラブとBP単分子層の両方の電子バンド構造は,結合vdW CsPbI_3-BPヘテロ構造で保存されている。BPと接触するPb-I界面のヘテロ構造はI型バンド配列を示し,BPヘテロ構造と接触するCs-I界面はII型バンド配列を示した。エネルギー準位シフトの理由は,BP単分子層に対するCsPbI_3スラブの仕事関数差であり,電子と正孔が自発的に動くことを駆動する。加えて,CsPbI_3-BPヘテロ構造はCsPbI_3スラブよりはるかに良い光学特性を示した。光吸収はCsPbI_3-BPヘテロ構造,特に赤外領域において増強され,CsPbI_3ペロブスカイト太陽電池における赤外光の使用を改善する。本研究は,このような無機ペロブスカイトBPヘテロ構造が将来のオプトエレクトロニクス応用に対して大きな可能性を有し,無機ペロブスカイトにおける組成調整可能性を有する広い可能性を可能にすることを示唆した。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 赤外線 ,  正孔 ,  光学的性質 ,  単分子層 ,  電気接点 ,  光吸収 ,  半導体 ,  仕事関数 ,  エネルギー準位 ,  *界面 ,  オプトエレクトロニクス ,  電気的性質
準シソーラス用語： 電子バンド構造 ,  第一原理計算 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 黒リン ,  VAN ,  ヘテロ構造 ,  界面 ,  工学