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J-GLOBAL ID：201802224069243475   整理番号：18A0968693

グラフェンの1/f雑音発生におけるプラズマ誘起欠陥の役割【JST・京大機械翻訳】

Role of plasma-induced defects in the generation of 1/f noise in graphene

著者 (5件)： Cultrera Alessandro (INRIM - Istituto Nazionale di Ricerca Metrologica Strada delle Cacce 91, 10135 Torino, Italy) ,  Callegaro Luca (INRIM - Istituto Nazionale di Ricerca Metrologica Strada delle Cacce 91, 10135 Torino, Italy) ,  Marzano Martina (INRIM - Istituto Nazionale di Ricerca Metrologica Strada delle Cacce 91, 10135 Torino, Italy) ,  Ortolano Massimo (Dipartimento di Elettronica e Telecomunicazioni, Politecnico di Torino, Corso Duca degli Abruzzi 24, 10129 Torino, Italy) ,  Amato Giampiero (INRIM - Istituto Nazionale di Ricerca Metrologica Strada delle Cacce 91, 10135 Torino, Italy)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 112  号： 9  ページ： 093504-093504-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェン中の1/f雑音は電荷キャリア移動度の揺らぎにより支配されることが既に報告されている。ここでは,グラフェン試料上の酸素プラズマにより誘起された損傷の増加が,2つの傾向をもたらすことを示した。低線量では,1/f雑音の大きさは線量と共に増加した。そして,高用量では,それは用量とともに減少する。この挙動は,移動度ゆらぎ中心の濃度とキャリアの平均自由行程が競合因子であるキャリア移動度ゆらぎにより発生する1/f雑音の枠組みで解釈される。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャリア移動度 ,  放射線量 ,  *1/f雑音 ,  *グラフェン ,  ゆらぎ ,  *プラズマ ,  移動度 ,  平均自由行程
準シソーラス用語： 低線量 ,  酸素プラズマ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H)

タイトルに関連する用語 (6件)： グラフェン ,  雑音発生 ,  プラズマ ,  誘起 ,  欠陥 ,  役割