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J-GLOBAL ID：201802224272821250   整理番号：18A1509866

結晶シリコン太陽電池モジュールにおける電位誘起劣化に及ぼす高インパルス電圧の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of High Impulse Voltage on Potential Induced Degradation in Crystalline Silicon Photovoltaic Modules

著者 (5件)： Kimsong Suy (Tokai University, Course of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Kanagawa, Hiratsuka-shi, 259-1292, Japan) ,  Kaneko Tetsuya (Tokai University, Course of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Kanagawa, Hiratsuka-shi, 259-1292, Japan) ,  Hara Yukiko (Research Center for Photovoltaics, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Ibaraki, Tsukuba, 305-8568, Japan) ,  Masuda Atsushi (Research Center for Photovoltaics, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Ibaraki, Tsukuba, 305-8568, Japan) ,  Isomura Masao (Tokai University, Course of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Kanagawa, Hiratsuka-shi, 259-1292, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： AM-FPD  ページ： 1-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電位誘起劣化(PID)は,PVモジュールにおける性能損失を引き起こすので,結晶性Si太陽電池(PV)モジュールにおける望ましくない現象である。一方,大規模なオープンエリアに設置されたPVシステムは,雷撃に曝される可能性があるが,結晶性Si PVモジュールに及ぼす雷撃の影響についての研究はほとんどなかった。本研究では,結晶Si PVモジュールにおけるPIDに及ぼす雷インパルス電圧の影響に焦点を当てた。雷撃を高インパルス電圧発生器によりシミュレートした。モジュールにおけるPIDに及ぼすインパルス電圧の影響を明らかにするために,暗電流-電圧測定,エレクトロルミネセンス画像,および漏れ電流測定のようないくつかの研究を用いた。その結果,雷インパルス電圧(-20kV,-40kV,+20kV)は結晶Si PVモジュールのPIDを完全に加速した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *衝撃電圧 ,  *電位 ,  エレクトロルミネセンス ,  暗電流 ,  画像 ,  *電圧 ,  *太陽電池 ,  漏れ電流 ,  電圧測定
準シソーラス用語： 衝撃電圧発生器 ,  雷インパルス ,  太陽光発電システム ,  *結晶シリコン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 結晶シリコン太陽電池 ,  モジュール ,  電位 ,  誘起 ,  インパルス電圧