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J-GLOBAL ID:201802224316806817   整理番号:18A2071442

溶融粉砕プロセスにより合成したBi_2Te_3-ySe_yバルク材料の熱電特性【JST・京大機械翻訳】

Thermoelectric Properties of Bi2Te3-ySey Bulk Materials Synthesized by Melting-Grinding Process
著者 (4件):
資料名:
巻: 773  ページ: 145-151  発行年: 2018年 
JST資料番号: D0744C  ISSN: 1013-9826  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: スイス (CHE)  言語: 英語 (EN)
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Bi-Te熱電系は室温近傍で優れた性能指数(ZT)を示した。n型Bi-Teに対するZT値の増加に関する研究は,この化合物の熱電特性がp型材料のそれらより劣るので不可避である。この目的のために,種々の量のSeドーパント(0.3≦y≦0.6)を有するn型Bi_2Te_3-ySe_y粉末を,物理的性質を改善するために真空溶融粉砕プロセスによって合成した。焼結体のZT値を電気的および熱的特性に関して298~423Kの温度範囲で調べた。Se含有量が増加すると,電気伝導率はキャリア濃度の減少により減少し,ZTの全体値を改善した。熱伝導率は,Se含有量が298~373Kの温度範囲で増加すると,合金散乱の増加により明らかに減少し,結晶粒界散乱により引き起こされる格子熱伝導率の減少と同様に,明らかに減少した。室温で,Bi_2Te_2.7Se_0.3(y=0.3)は0.85の最高ZTを示した。温度上昇において,ZT値はBi_2Te_2.55Se_0.45(y=0.45)に対して最高であり,Seドーパントの最適効果は温度範囲に依存して変化することを示した。Copyright 2018 Trans Tech Publications Ltd. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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半導体結晶の電気伝導  ,  セラミック・陶磁器の製造 
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