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J-GLOBAL ID：201802224329268509   整理番号：18A0910889

強誘電体ゲート絶縁膜を用いた負性容量電界効果トランジスタのフリンジ電界効果

Fringing field effects in negative capacitance field-effect transistors with a ferroelectric gate insulator

著者 (7件)： HATTORI Junichi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  FUKUDA Koichi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  IKEGAMI Tsutomu (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  OTA Hiroyuki (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  MIGITA Shinji (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  ASAI Hidehiro (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  TORIUMI Akira (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 4S  ページ： 04FD07.1-04FD07.7  発行年： 2018年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *静電容量 ,  *静電場 ,  分極 ,  *特性 ,  電位 ,  性能指数
準シソーラス用語： *強誘電体ゲートFET ,  *負性容量 ,  *フリンジ場 ,  *デバイス特性 ,  静電ポテンシャル ,  サブスレッショルドスイング

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 強誘電体 ,  ゲート絶縁膜 ,  負性容量 ,  電界効果トランジスタ ,  電界効果