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J-GLOBAL ID：201802224348872534   整理番号：18A0520957

4H SiC実験とモデルの光学的非線形吸収特性【Powered by NICT】

Optical nonlinear absorption properties of 4h-SiC-experiment and model

著者 (4件)： Meyers V. (Center for Pulsed Power and Power Electronics, Texas Tech University, Lubbock, TX 79409 USA) ,  Mauch D. (Center for Pulsed Power and Power Electronics, Texas Tech University, Lubbock, TX 79409 USA) ,  Dickens J. (Center for Pulsed Power and Power Electronics, Texas Tech University, Lubbock, TX 79409 USA) ,  Neuber A. (Center for Pulsed Power and Power Electronics, Texas Tech University, Lubbock, TX 79409 USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PPC  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3.49eVのバンドギャップエネルギー(λ=355 nm)でバルク4H-SiC中の強度に依存した非線形光吸収を研究した。4H-SiCにおけるこのような非線形光学的挙動の特性化と理解は,オプトエレクトロニクスSiCデバイスの効率向上と設計,光伝導半導体スイッチを形成する。を他で実施された以前の研究は,バンドギャップエネルギーでの非線形性に焦点を当てたことが注目されるが,バンドギャップ調査されたいない。本研究では,種々の再結合寿命の厚さ160μmの高純度半絶縁性4H-SiC上に1mJ/cm~2~30mJ/cm~2入射範囲のフルエンスで,短いレーザパルスの吸収を検討した。試料バルク再結合寿命は,成長,電子照射及びアニーリングの影響の範囲を示す0.5nsから100nsまで変化する。有効吸収係数は,バルク再結合寿命の見かけの関数としてこの範囲内で有意に変化した。電子捕獲,バンド間吸収,自由キャリア吸収を考慮に入れた四準位時間及び空間依存有限差分時間領域(FDTD)モデルは吸収動力学へのさらなる洞察を与えることを構築した。例えば,非線形吸収挙動における自由キャリア吸収と深準位トラッピングの重要性を明らかにした。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 光吸収 ,  オプトエレクトロニクス ,  *炭化ケイ素 ,  焼なまし ,  バンドギャップ ,  吸収係数 ,  レーザパルス ,  フルエンス ,  非線形光学 ,  光伝導 ,  再結合 ,  非線形性
準シソーラス用語： 自由キャリア ,  バンドギャップエネルギー ,  *非線形吸収 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiC ,  実験 ,  モデル ,  光学 ,  非線形吸収