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J-GLOBAL ID:201802224421286190   整理番号:18A1112736

エネルギー材料応用のためのシリコン量子ドット【JST・京大機械翻訳】

Silicon quantum dots for energetic material applications
著者 (4件):
資料名:
巻: 112  号: 23  ページ: 233108-233108-5  発行年: 2018年 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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エネルギー材料としての歴史において,多孔質シリコンは3km s-1以上の火炎速度,調整可能な燃焼挙動,および高エネルギー出力を示し,理論的に非常に魅力的なエネルギーシステムとなっている。実際には,その分野での応用は多孔質シリコンの典型的な基板付着形態と,多孔質シリコンが作られる時と時に制限される苛性化学処理の必要条件によって制限される。本研究では,自立多孔質シリコン膜から反応性シリコン量子ドットを作製することにより,これらの制約の多孔質シリコンを緩和した。得られた材料は,SiH_2終端層を含む元の膜の化学的性質を保持する直径2nmの結晶性シリコンナノ粒子から成る。作製したシリコン粒子をFTIR分光法,TEM,EDSを用いて特性化し,サイズと化学組成を決定した。エネルギー物質燃料としての試験のために,多孔質シリコンを使用した酸化剤,過塩素酸ナトリウムと混合した。開水路燃焼試験の間,過塩素酸ナトリウムと混合したケイ素量子ドットは2.5km s-1以上の火炎速度を示し,一方,ボンベ熱量測定試験は7.4kJ g-(-1)の平均燃焼熱を示した。これらの結果は,シリコン量子ドットを作製するための付加的な処理ステップにもかかわらず,高エネルギー材料反応を可能にする多孔質シリコン材料特性を保持する能力を実証した。これは,エネルギー材料応用空間のバルクにおける多孔質シリコンの使用のための扉を開き,その多くは典型的な多孔質シリコンの基板付着性により以前に制限された。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
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半導体薄膜  ,  半導体のルミネセンス  ,  金属-絶縁体-半導体構造 
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
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