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J-GLOBAL ID：201802224457474464   整理番号：18A1384845

一般的な浮遊金属を考慮した浮動酔歩に基づく静電容量シミュレーション【JST・京大機械翻訳】

Floating Random Walk-Based Capacitance Simulation Considering General Floating Metals

著者 (4件)： Yu Wenjian (Department of Computer Science and Technology, Tsinghua University, Beijing, TNList, China) ,  Xu Zhezhao (Department of Computer Science and Technology, Tsinghua University, Beijing, TNList, China) ,  Li Bo (Department of Computer Science and Technology, Tsinghua University, Beijing, TNList, China) ,  Zhuo Cheng (College of Information Science and Electronics Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, China)
資料名： IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems  (IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems)
巻： 37  号： 8  ページ： 1711-1715  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0142C  ISSN： 0278-0070  CODEN： ITCSDI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 浮遊金属を含む構造に対する正確な静電容量計算は,相互接続ワイヤのモデリングと集積回路の設計におけるオンチップコンデンサの検証の両方に対して非常に興味深い。前者の問題は,正規形状または直方体浮動ダミー充填を含み,浮動ランダムウォーク(FRW)法に基づく既存の高速アルゴリズムにより処理されている。後者の問題は,より一般的で複雑な形状の浮遊金属を含み,より高い電圧を耐える高密度金属-絶縁体-金属(MIM)コンデンサの設計に重要である。これらの一般的な形状の浮遊金属を効率的に扱う方法が課題となっている。本論文では,まず,浮動ダミーを扱うための既存のFRWに基づく手法のメカニズムを検討し,次に,一般的な形状の浮遊金属を扱うための中心差分式に基づくアプローチを提案した。提案した手法は既存の研究に匹敵するコストを持つが,はるかに信頼性があり正確である。浮遊ダミーとMIMコンデンサ構造による構造に関する実験は,提案した方式の有効性と利点を実証した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *浮動 ,  電圧 ,  金属線 ,  *静電容量 ,  信頼性 ,  相互接続 ,  *酔歩 ,  計算機シミュレーション ,  モデリング ,  コンデンサ ,  集積回路 ,  絶縁体 ,  *金属 ,  *浮遊
準シソーラス用語： MIMキャパシタ ,  オンチップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： CAD,CAM  (JE10000A) ,  集積回路一般  (NC03161C)

タイトルに関連する用語 (5件)： 浮遊 ,  浮動 ,  酔歩 ,  静電容量 ,  シミュレーション