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J-GLOBAL ID：201802224555943182   整理番号：18A0969571

ガンマ非イオン化エネルギー損失:シリコンデバイスにおける損傷因子との比較【JST・京大機械翻訳】

Gamma non-ionizing energy loss: Comparison with the damage factor in silicon devices

著者 (5件)： El Allam E. (Solid State Physics Laboratory, Faculty of Sciences Dhar el Mahraz, University Sidi Mohamed Ben Abdellah, P.B 1796, Atlas-Fez, Morocco) ,  Inguimbert C. (ONERA-DPhIEE, 2 avenue E. Belin, 31055 Toulouse, France) ,  Meulenberg A. (Science for Humanity Trust, Inc., Tucker, Georgia 30084-5641, USA) ,  Jorio A. (Solid State Physics Laboratory, Faculty of Sciences Dhar el Mahraz, University Sidi Mohamed Ben Abdellah, P.B 1796, Atlas-Fez, Morocco) ,  Zorkani I. (Solid State Physics Laboratory, Faculty of Sciences Dhar el Mahraz, University Sidi Mohamed Ben Abdellah, P.B 1796, Atlas-Fez, Morocco)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 123  号： 9  ページ： 095703-095703-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非イオン化エネルギー損失(NIEL)の概念は,シリコン材料およびデバイスにおける変位損傷効果を記述するための成功したアプローチであることが実証されている。しかし,実験的損傷因子と理論的NIELの間の文献にはいくつかの不一致が存在する。低いNIELを有する60Coガンマ線は,NIELスケーリング法を検証するために用いることができる興味深い粒子源である。本論文では,シリコンターゲットに対する異なる60Coガンマ線NIEL値を示した。それらを単位フルエンス当たりのキャリアの熱発生率の放射線誘起増加と比較した。分子動力学を用いたものを含む異なるモデル間の差異を考察した。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： はじき出し損傷 ,  熱発生率 ,  粒子源 ,  *イオン化ポテンシャル ,  フルエンス ,  γ線 ,  分子動力学 ,  放射線

分類 (2件)： その他の物質の放射線による構造と物性の変化  (BK16124V) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (5件)： イオン化 ,  エネルギー損失 ,  シリコンデバイス ,  損傷 ,  因子