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J-GLOBAL ID：201802224582612587   整理番号：18A1145678

IEEE ITRW作業グループ位置紙-材料とデバイス:WBGとUWBG材料とデバイスは新しい作業グループで調査される【JST・京大機械翻訳】

IEEE ITRW Working Group Position Paper-Materials and Devices: WBG and UWBG Materials and Devices Are Examined in a New Working Group

著者 (6件)： Veliadis Victor (PowerAmerica Institute, Raleigh, North Carolina United States) ,  Kaplar Robert (Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico United States) ,  Zhang Jon (PowerAmerica Institute, Raleigh, North Carolina United States) ,  Bakowski Mietek (Wide-Bandgap Power Center) ,  Khalil Sameh (Infineon Technologies, Neubiberg, Germany) ,  Moens Peter (ON Semiconductor, Belgium)
資料名： IEEE Power Electronics Magazine  (IEEE Power Electronics Magazine)
巻： 5  号： 2  ページ： 45-48  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2415A  ISSN： 2329-9207  CODEN： IPEMDG  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ワイドバンドギャップパワー半導体(ITRW)材料とデバイス動作グループのための国際技術ロードマップは,デバイス設計,製作,評価に加えて,広バンドギャップ(WBG)と超広バンドギャップ(UWBG)半導体の材料科学を考慮している。その目的は,WBGとUWBG材料に対する長期的,国際的なロードマップ,およびITRWの包装と応用作業グループと一致するデバイスを定式化することである。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 半導体 ,  定式化 ,  材料科学 ,  電力トランジスタ ,  バンドギャップ ,  *IEEE
準シソーラス用語： ロードマップ ,  デバイス設計 ,  技術ロードマップ ,  ワイドバンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： IEEE ,  作業グループ ,  調査