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J-GLOBAL ID：201802224604792608   整理番号：18A2233921

容量のない動的メモリとしての平面三角トンネルFETの性能改善のための接合可制御性に関する物理的洞察【JST・京大機械翻訳】

Physical Insights on Junction Controllability for Improved Performance of Planar Trigate Tunnel FET as Capacitorless Dynamic Memory

著者 (2件)： Navlakha Nupur (Low Power Nanoelectronics Research Group, Discipline of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Indore, Simrol, Indore, 453552, India) ,  Kranti Abhinav (Low Power Nanoelectronics Research Group, Discipline of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Indore, Simrol, Indore, 453552, India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： SISPAD  ページ： 129-132  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,動的メモリ応用のための平面トリゲートトンネルFET(TFET)の接合におけるエネルギー障壁の制御に関する物理的洞察を示した。結果は,各々の接合部における電場(EF)の有意性を示した。すなわち,Source-Gate1(S-G1),Drain-Gate2(D-G2),およびG1-G2(E_b)間のエネルギー障壁を通して評価し,Sense Margin(SM),電流比(CR),速度(書込み時間)および保持時間(RT)を改善した。本研究は,性能計量の改善を助けるデバイスパラメータの影響を強調し,また動的メモリにおける関連するトレードオフを低減した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電流 ,  *接合 ,  電場 ,  保持時間 ,  接合部 ,  *可制御性
準シソーラス用語： エネルギー障壁 ,  *トンネル電界効果トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (7件)： 動的メモリ ,  三角 ,  トンネルFET ,  性能改善 ,  可制御性 ,  物理 ,  洞察