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J-GLOBAL ID：201802224654015096   整理番号：18A0678276

シミュレーション環境における水素化アモルファスシリコン薄膜トランジスタの原理を検討するための授業実践【JST・京大機械翻訳】

Exploration of Teaching Practice for the α-Si:H TFT Principles With Using Simulation

著者 (1件)： Chen Wenbin (電子科技大学 光電信息学院,四川 成都,610054)
資料名： Dianqi Dianzi Jiaoxue Xuebao  (Dianqi Dianzi Jiaoxue Xuebao)
巻： 39  号： 5  ページ： 138-141  発行年： 2017年 
JST資料番号： C3335A  ISSN： 1008-0686  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 水素化アモルファスシリコン薄膜トランジスタ(α-Si:H TFT)は平板表示領域における主流技術であり、その原理は伝統的な教学モードにおける難点であり、逆に研究式の教育に広い空間を示した。α-Si;H TFTの動作状態を四つの領域に分け、これら四つの領域の電流-電圧特性を詳細に分析し、RPI SPICEパラメータを結合し、教学コアの内容を計画し、実例を挙げて、パラメータ調整-模倣-パラメータ抽出-再シミュレーションの閉ループ過程を通じて、シミュレーションを行った。α-Siを深く理解することができる。H TFTの物理的機構。教育実践により、学生の参与度を高め、教育効果が良好であることが明らかになった。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 教育効果 ,  電流電圧特性 ,  *シミュレーション ,  *薄膜トランジスタ
準シソーラス用語： 教育実践 ,  パラメータ抽出 ,  *授業実践 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： シミュレーション ,  環境 ,  水素化アモルファスシリコン ,  薄膜トランジスタ ,  原理 ,  授業実践