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J-GLOBAL ID：201802224749944117   整理番号：18A0996265

ZnIn_2S_4/TiO_2二元ヘテロ構造光電極の増強された光電気化学性能に対する指向性光依存性の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of directional light dependence on enhanced photoelectrochemical performance of ZnIn₂S₄/TiO₂ binary heterostructure photoelectrodes

著者 (6件)： David Selvaraj (Division of Biotechnology, Safety, Environment and Life Science Institute, college of Environmental and Bioresource Sciences, Chonbuk National University, Iksan 570-752, Republic of Korea) ,  Mahadik Mahadeo A. (Division of Biotechnology, Safety, Environment and Life Science Institute, college of Environmental and Bioresource Sciences, Chonbuk National University, Iksan 570-752, Republic of Korea) ,  An Gil Woo (Division of Biotechnology, Safety, Environment and Life Science Institute, college of Environmental and Bioresource Sciences, Chonbuk National University, Iksan 570-752, Republic of Korea) ,  Ryu Jungho (Mineral Resources Research Division, Korea Institute of Geoscience and Mineral Resources, Daejeon, 34132, Republic of Korea) ,  Kim Hyun Gyu (Korea Basic science Institute, Busan 609-735, Republic of Korea) ,  Jang Jum Suk (Division of Biotechnology, Safety, Environment and Life Science Institute, college of Environmental and Bioresource Sciences, Chonbuk National University, Iksan 570-752, Republic of Korea)
資料名： Electrochimica Acta  (Electrochimica Acta)
巻： 276  ページ： 223-232  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0535B  ISSN： 0013-4686  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究は,水熱的に調製された二次元ZnIn_2S_4ナノシート/一次元ルチルTiO_2ナノロッドアレイ(2D ZIS NS /1D R-TNR)ヘテロ構造光電極の光電気化学的性能に及ぼす入射光照射方向の依存性に焦点を合わせた。2D ZIS NSは,水熱法におけるZIS前駆体の濃度を変化させることにより,1D R-TNRの/FTO基板上に成長させ,2D ZIS NSの/1D R-TNRのヘテロ構造を形成した。一次元ルチルTiO_2ナノロッドアレイ(1D R-TNR)は,優れた電子移動経路を提供し,2D ZIS NSの役割は,1D R-TNR上に効果的な可視光吸収表面を提供し,紫外から可視領域への吸収スペクトルを拡張する。深色シフトが起こる。この二元ヘテロ構造は,裏面照射(BSI)下での低い抵抗,最短電子輸送時間および少ない再結合を提供し,2D ZIS NSの1D R-TNRのヘテロ構造における電荷分離および輸送に効果的に寄与した。しかし,結果は,前面照明(FSI)が,貧弱なPEC性能をもたらすことを実証した。2D ZIS NSの表面での光の遮断のためである。さらに,これらの結果は,BSIが他のヘテロ構造にも適用できることを示し,低バンドギャップ硫化物材料が将来の展望においてエネルギー収穫のために大バンドギャップ金属酸化物上で工学される必要があることを示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ナノシート ,  可視光 ,  再結合 ,  バンドギャップ ,  二次元 ,  *光電極 ,  一次元 ,  ルチル ,  前駆体 ,  *光電気化学 ,  水熱合成 ,  電子移動
準シソーラス用語： 可視領域 ,  ナノロッドアレイ ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 背面照明 ,  前面照明 ,  浴色シフト ,  光透過 ,  二元ヘテロ構造

分類 (4件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  電極過程  (CB07040U) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  二次電池  (YB04030K)

タイトルに関連する用語 (6件)： ヘテロ構造 ,  光電極 ,  増強 ,  光電気化学 ,  指向性 ,  光依存性