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J-GLOBAL ID：201802224805847517   整理番号：18A1805377

トポロジカル絶縁体Bi_2Se_3-有機複合材料に基づく柔軟で透明な抵抗スイッチング素子【JST・京大機械翻訳】

Flexible, transparent resistive switching device based on topological insulator Bi₂Se₃-organic composite

著者 (5件)： Das Biswajit (Thin Film and Nano Science Laboratory, Department of Physics, Jadavpur University, Kolkata 700 032, India) ,  Sarkar Pranab K. (Department of Applied Science & Humanities, Assam University, Silchar 788010, India) ,  Das Nirmalya S. (Thin Film and Nano Science Laboratory, Department of Physics, Jadavpur University, Kolkata 700 032, India) ,  Sarkar Samrat (School of Material Science & Nanotechnology, Jadavpur University, Kolkata 700 032, India) ,  Chattopadhyay Kalyan K. (Thin Film and Nano Science Laboratory, Department of Physics, Jadavpur University, Kolkata 700 032, India)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 124  号： 12  ページ： 124503-124503-8  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリメタクリル酸メチル(PMMA)に埋め込まれた二次元トポロジー絶縁体セレン化ビスマス(Bi_2Se_3)ナノシート(NS)を,抵抗スイッチング(RS)応用のために初めて使用した。六方晶2D Bi_2Se_3 NSを簡単なソルボサーマル法により合成し,2D Bi_2Se_3の異なる重量割合でPMMAと結合させた。Bi_2Se_3@PMMAハイブリッド系のキャラクタリゼーションのために,X線光電子分光法やRaman分光法などの他のキャラクタリゼーションと共に電界放出走査電子顕微鏡と透過型電子顕微鏡を行った。複合材料を透明で柔軟なポリエチレンテレフタレート基板上に堆積し,Ag/Bi_2Se_3@PMMA/インジウムドープ酸化スズメモリセルを形成した。素子のI-V特性は安定で不揮発性のメモリ効果を示した。この素子は10~3以上の高い抵抗(R_HRS/R_LRS)比,10~3以上の高い保持時間(9000s以上)を示し,多数の(10~5)acサイクルにわたって高い再現性を示した。実験データから,RS性能を電荷捕獲-デトラッピング機構を用いて説明した。フレキシブルエレクトロニクスにおける関心の高まりにより,曲げ試験を種々の曲げ直径(10~30mm)で行い,提案したデバイスの機械的ロバスト性を示した。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 二次元 ,  透過型電子顕微鏡 ,  ドーピング ,  ポリエチレンテレフタレート ,  記憶素子 ,  電子顕微鏡観察 ,  ポリメタクリル酸メチル ,  非揮発性 ,  *複合材料 ,  六方晶系 ,  ナノシート ,  再現性 ,  ハイブリッド系 ,  キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： フレキシブルエレクトロニクス ,  *抵抗スイッチング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  熱電デバイス  (NC03090J)

タイトルに関連する用語 (3件)： トポロジカル絶縁体 ,  複合材料 ,  スイッチング素子