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J-GLOBAL ID：201802224920517496   整理番号：18A0388218

モンテカルロおよびTM(Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni)をドープしたMgH_2水素化物のab initio計算:GGAおよびSIC近似【Powered by NICT】

Monte Carlo and Ab-initio calculation of TM (Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni) doped MgH₂ hydride: GGA and SIC approximation

著者 (6件)： Salmani E. (LMPHE (URAC12), Faculty of Sciences, Mohammed V University in Rabat, Morocco) ,  Laghrissi A. (LMPHE (URAC12), Faculty of Sciences, Mohammed V University in Rabat, Morocco) ,  Lamouri R. (LMPHE (URAC12), Faculty of Sciences, Mohammed V University in Rabat, Morocco) ,  Benchafia E. (Department of Materials Science and Engineering, New Jersey Institute of Technology, Newark, NJ 07102, United States) ,  Ez-Zahraouy H. (LMPHE (URAC12), Faculty of Sciences, Mohammed V University in Rabat, Morocco) ,  Benyoussef A. (Institute for Nanomaterials and Nanotechnologies, MAScIR, Rabat, Morocco)
資料名： Journal of Magnetism and Magnetic Materials  (Journal of Magnetism and Magnetic Materials)
巻： 424  ページ： 53-63  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0644A  ISSN： 0304-8853  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 希薄磁性半導体(DMS)に基づくMgH_2:TM(TM: V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni)を,第一原理計算を用いて研究した。著者らの結果は,TMはTM:Co,V,Cr,Tiの磁気モーメント,並びに,真性キャリアを紹介したとき,強磁性状態が安定であることを示した。Mg_0 0.95TM_0 0.05H_2。研究下でDMS強磁石のいくつかは,半金属挙動は,スピントロニクス応用に適しているを示した。二重交換は,このような材料の磁性の原因となる機構であることを示した。第一原理計算から得られ,モンテカルロ法による古典的Isingモデルに用いた交換相互作用は周囲条件内でCurie温度を持つ強磁性状態をもたらした。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： Ising模型 ,  磁性 ,  *近似法 ,  *計算 ,  半金属 ,  強磁性 ,  交換相互作用 ,  スピントロニクス ,  *ドーピング ,  磁気モーメント ,  Curie温度 ,  *チタン ,  *モンテカルロ法
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  希薄磁性半導体 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ab initio計算 ,  KKR-CPA ,  希薄磁性半導体 ,  MgH_2とモンテカルロシミュレーション

分類 (2件)： 磁性理論  (BM06020X) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (14件)： モンテカルロ ,  Tm ,  Ti ,  Cr ,  Mn ,  Fe ,  CO ,  Ni ,  ドープ ,  水素化物 ,  計算 ,  GGA ,  SiC ,  近似