文献

J-GLOBAL ID：201802224986606758   整理番号：18A0677089

Mo/Al/Mo構造電極の傾斜角とキーサイズ差の研究【JST・京大機械翻訳】

Profile and critical dimension bias of Mo/Al/Mo electrode

著者 (11件)： Liu Dan (重慶京東方光電科技有限公司 光刻工程部,重慶,400700) ,  Qin Gang (重慶京東方光電科技有限公司 光刻工程部,重慶,400700) ,  Cai Weichao (重慶京東方光電科技有限公司 光刻工程部,重慶,400700) ,  Wang Baiqiang (重慶京東方光電科技有限公司 光刻工程部,重慶,400700) ,  Zhou Yu (重慶京東方光電科技有限公司 光刻工程部,重慶,400700) ,  Rao Yi (重慶京東方光電科技有限公司 光刻工程部,重慶,400700) ,  Li Chenyu (重慶京東方光電科技有限公司 光刻工程部,重慶,400700) ,  Liu Tao (重慶京東方光電科技有限公司 光刻工程部,重慶,400700) ,  Duan Haiyang (重慶京東方光電科技有限公司 光刻工程部,重慶,400700) ,  Fan Genrui (重慶京東方光電科技有限公司 光刻工程部,重慶,400700) ,  Lv Junjun (重慶京東方光電科技有限公司 光刻工程部,重慶,400700)
資料名： Yejing yu Xianshi  (Yejing yu Xianshi)
巻： 32  号： 11  ページ： 877-885  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1519A  ISSN： 1007-2780  CODEN： YYXIFY  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： Mo/Al/Mo構造の金属はTFTの電極として、エッチング後の傾斜角とキー寸法の差は重要なパラメータである。傾斜角とキーサイズの差に影響するプロセスパラメータを明確にし、さらに傾斜角とキーサイズの差を制御することは、プロセスの製造にとって極めて重要である。本論文では、膜の構造、露光プロセス、エッチングプロセスが傾斜角とキーサイズの差に与える影響を検討し、エッチングプロセスに対して直交試験設計を行った。実験結果は以下を示す。Al膜厚さが60nmに減少すると,傾斜角は約9°減少し,そして,重要な寸法差は0.1μm増加した。露光プロセスにおいて、現像後の焼き入れは光抵抗粘着力を増加させ、重要な寸法差が0.1μm減少し、同時に傾斜角が約9°増加した。エッチングプロセスにおいて,過量は10%増加し,傾斜角は3.3°に減少し,キーサイズの差は0.14μm増加した。直交試験の結果は,重要なサイズの差,エッチングの均一性,傾斜角の影響因子の重要性を示した。それは,液体流量>Air Plasma電圧>水流量であった。上述の研究により、傾斜角とキーサイズの差は負の相関関係を呈し、エッチングの程度が増加し、キーサイズの差が増加し、傾斜角が減少することが明らかになった。プロセスパラメータを調整することによって,傾斜角とキーサイズの差異を制御することができた。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 現像 ,  液体流 ,  エッチング ,  焼入 ,  電圧 ,  粘着力 ,  プロセスパラメータ ,  実験計画法 ,  *傾斜角 ,  流水量 ,  直交性
準シソーラス用語： 影響因子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Mo/Al/Mo structure electrode ,  profile ,  critical dimension bias ,  orthogonal design

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： Mo ,  Al ,  傾斜角 ,  キー ,  サイズ ,  研究