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J-GLOBAL ID：201802225078233575   整理番号：18A0576198

固相エピタクシー後のSi(111)上のGe層の表面形態と構造【Powered by NICT】

Surface morphology and structure of Ge layer on Si(111) after solid phase epitaxy

著者 (3件)： Yoshida Ryoma (Graduate School of Nanobioscience, Yokohama City University, 22-2, Seto, Kanazawa-ku, Yokohama, 236-0027, Japan) ,  Tosaka Aki (Graduate School of Nanobioscience, Yokohama City University, 22-2, Seto, Kanazawa-ku, Yokohama, 236-0027, Japan) ,  Shigeta Yukichi (Graduate School of Nanobioscience, Yokohama City University, 22-2, Seto, Kanazawa-ku, Yokohama, 236-0027, Japan)
資料名： Surface Science  (Surface Science)
巻： 671  ページ： 43-50  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 固相エピタクシーで形成したSi(111)表面上のGe層の表面形態変化を,走査型トンネル顕微鏡(STM)を用いて研究した。Ge膜は室温で堆積し,400°Cまたは600°Cでアニールした。400°Cでのアニーリング後の試料表面のSTM像は,WL上の小さな三次元島を持つ平らな濡れ層(WL)を示した。600°Cでのアニーリング後,STM画像は大きな島状構造を持つ表面粗さを示した。粗さと堆積層の厚さの平均高さの間の関係から,Ge原子の拡散は600°Cで非常に活性であることを確認した。界面でのSi結晶は再構築され,相互混合は600°C以上で起こる。しかし,相互混合は400°Cで固相エピタクシー成長におけるかなり制限される400°Cでの結晶化と表面形態の変化は,WL表面上に形成された島の形状により検討した。は非晶質相中のGe原子の拡散は400°Cでも活性であることを示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 三次元 ,  界面 ,  再構成 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  *形態 ,  焼なまし ,  *ゲルマニウム ,  島状構造 ,  表面構造 ,  結晶化 ,  画像
準シソーラス用語： 相互混合 ,  濡れ層 ,  *表面形態 ,  *固相エピタキシー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： STM ,  半導体 ,  Ge ,  Si(111) ,  表面構造 ,  固相エピタクシー

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 固相エピタクシー ,  Si ,  Ge ,  表面形態