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J-GLOBAL ID：201802225266329768   整理番号：18A1028319

集光太陽電力技術と統合するための高バンドギャップ高温III窒化物太陽電池の開発【JST・京大機械翻訳】

Development of a high-band gap high temperature III-nitride solar cell for integration with concentrated solar power technology

著者 (10件)： Williams Joshua J. (Arizona State University, Tempe, Arizona, 85287, USA) ,  McFavilen Heather (Photonitride Devices Inc., Tempe, Arizona, 85284, USA) ,  Fischer Alec M. (Arizona State University, Tempe, Arizona, 85287, USA) ,  Ding Ding (Photonitride Devices Inc., Tempe, Arizona, 85284, USA) ,  Young Steven R. (Photonitride Devices Inc., Tempe, Arizona, 85284, USA) ,  Vadiee Ehsan (Arizona State University, Tempe, Arizona, 85287, USA) ,  Ponce Fernando A. (Arizona State University, Tempe, Arizona, 85287, USA) ,  Arena Chantal (Photonitride Devices Inc., Tempe, Arizona, 85284, USA) ,  Honsberg Christiana B. (Arizona State University, Tempe, Arizona, 85287, USA) ,  Goodnick Stephen M. (Arizona State University, Tempe, Arizona, 85287, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PVSC  ページ： 1-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体のIII-N材料クラスは,集光太陽光発電所の熱受信機との統合のためのセルの構築に望ましい特性を示す。450°Cで動作するGaN-InGaN系太陽電池を設計した。改善された材料品質を通して電圧を改善するために,InGaN吸収体に対するMQW構造を選択した。セル性能は,室温で2.4V,動作温度で1.7VのVOCと300の太陽光を示した。EQE測定は,500°Cまではほとんどセル性能が低下しないことを示した。反復測定は,素子が熱的にロバストであることを示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 吸収体 ,  品質 ,  *高温 ,  窒化ガリウム ,  受信機 ,  *太陽電池 ,  *バンドギャップ ,  ロバスト性 ,  電圧 ,  *太陽 ,  *集光 ,  半導体 ,  太陽光
準シソーラス用語： 動作温度 ,  InGaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (8件)： 集光 ,  太陽 ,  電力技術 ,  統合 ,  バンドギャップ ,  窒化物 ,  太陽電池 ,  開発