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J-GLOBAL ID：201802225565096202   整理番号：18A1353542

無機フレキシブル基板による薄膜ハフニア-ジルコニア(HZO)の増強された圧電【JST・京大機械翻訳】

Enhanced piezoelectricity of thin film hafnia-zirconia (HZO) by inorganic flexible substrates

著者 (6件)： Hsain H. Alex (Materials Science and Engineering, North Carolina State University, Raleigh, North Carolina 27695, USA) ,  Sharma Pankaj (School of Materials Science and Engineering, The University of New South Wales, Sydney, NSW 2052, Australia) ,  Yu Hyeonggeun (Materials Science and Engineering, North Carolina State University, Raleigh, North Carolina 27695, USA) ,  Jones Jacob L. (Materials Science and Engineering, North Carolina State University, Raleigh, North Carolina 27695, USA) ,  So Franky (Materials Science and Engineering, North Carolina State University, Raleigh, North Carolina 27695, USA) ,  Seidel Jan (School of Materials Science and Engineering, The University of New South Wales, Sydney, NSW 2052, Australia)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 113  号： 2  ページ： 022905-022905-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HF_0.5Zr_0.5O_2(HZO)膜を,非急速熱アニーリングを用いて硬質ガラスと柔軟なポリイミド基板上に成長させた。膜を巨視的及び局所プローブに基づく方法を用いて比較研究し,それらの強誘電及び圧電特性を特性化した。分極-電場(P-E)測定により,これらの薄膜の強誘電特性は観測されたスイッチ可能な圧電応答ヒステリシスループおよび電気的に書かれた反対方向ドメインと一致することを明らかにした。さらに,柔軟なポリイミド基板上に成長させたHZO薄膜は,剛性基板上に成長させた膜と比較して,著しく増強された圧電応答を示した。この効果は,膜-基板対の機械的放出により引き起こされる磁壁運動の改善によるものと思われる。これらの知見は,柔軟な基板上の本質的に無鉛のHZO薄膜が,摩耗可能なデバイスにおける圧電応用の改善のための潜在的な候補材料であることを示唆している。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ガラス ,  電場 ,  *薄膜 ,  プローブ ,  分極 ,  摩耗 ,  ポリイミド ,  剛性 ,  スイッチ ,  *酸化ジルコニウム ,  *圧電気 ,  強誘電性 ,  キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： ヒステリシスループ ,  圧電応答 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M)

タイトルに関連する用語 (6件)： フレキシブル基板 ,  薄膜 ,  ハフニア ,  ジルコニア ,  増強 ,  圧電