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J-GLOBAL ID：201802225614750642   整理番号：18A0537190

異なる欠陥機構に基づいたNBTI効果の比較研究【Powered by NICT】

Comparative study on the NBTI effects based on different defect mechanism

著者 (4件)： Zainudin M. F. (Faculty of Electrical Engineering, Universiti Teknologi Mara (UiTM), 40450 Shah Alam, Selangor, Malaysia) ,  Hussin H. (Faculty of Electrical Engineering, Universiti Teknologi Mara (UiTM), 40450 Shah Alam, Selangor, Malaysia) ,  Halim A. K. (Faculty of Electrical Engineering, Universiti Teknologi Mara (UiTM), 40450 Shah Alam, Selangor, Malaysia) ,  Karim J. (Integrated Microelectronics System and Application Research Group, Universiti Teknologi Mara (UiTM), 40450 Shah Alam, Selangor, Malaysia)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： SCOReD  ページ： 148-153  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,負バイアス温度不安定性(NBTI)の存在と種々のフリップフロップアーキテクチャの比較性能解析を示した。フリップフロップはSynopsys Hspiceにより提供される長期NBTIモデルを用いて異なるNBTI条件下でシミュレートした。シミュレーション結果は,16nm高性能予測技術モデル(PTM)を用いて検証した。フリップフロップ速度と電力消費は,フリップフロップ性能に及ぼすNBTI効果を検討するために考慮した。結果は,NITおよびNOT機構と欠陥回路はNIT機構による欠陥と比較して回路性能に及ぼすより少ない影響を生成することを示した。平均PDP(電力遅延積)の還元の観察に基づいて,NITおよびNOT機構下で回路はNIT回路と~3%~5.5%まで生成するない機構と比較して~1%~1.5%まで生成した。結論として,NITおよびNOT機構と欠損下でのNBTI効果は他の欠陥機構と比較して回路性能に最小の劣化効果を生成する。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 予測技法 ,  モデリング ,  *双安定回路 ,  電力消費 ,  回路特性 ,  シミュレーション ,  性能分析
準シソーラス用語： 電力遅延積 ,  *NBTI , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (3件)： 欠陥 ,  NBTI ,  研究