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J-GLOBAL ID:201802225646439554   整理番号:18A1805362

狭バンドギャップナノ構造の可視近赤外(NIR)広スペクトル光電流応用の増強のための光アノードとしてのZnドープPbOナノ粒子(NPS)/フッ素ドープ酸化スズ(FTO) 事例研究としてのSnSe NPS【JST・京大機械翻訳】

Zn-doped PbO nanoparticles (NPs)/fluorine-doped tin oxide (FTO) as photoanode for enhancement of visible-near-infrared (NIR) broad spectral photocurrent application of narrow bandgap nanostructures: SnSe NPs as a case study
著者 (5件):
資料名:
巻: 124  号: 12  ページ: 123101-123101-7  発行年: 2018年 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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SnSe NPsに基づく光電流デバイスの光アノードとして,フッ素ドープ酸化スズ(FTO)ガラス上に堆積した,異なるZn濃度を有する非ドープおよびZnドープPbOナノ粒子(NPs)の能力を調べた。非ドープPbO NPsのX線回折パターンは,PbOの斜方晶系,正方晶系相,及びPb_2O_3の単斜晶相の混合相を示し,一方,ZnドープPbO NP試料はPbOの単一斜方晶相を示し,これらの結果はRamanスペクトル結果により確認された。非ドープおよびZn(2%)ドープPbO NPsの室温光ルミネセンス(PL)分光結果は,バンドギャップおよび欠陥に属する紫色および赤色領域において,それぞれ2つの発光を示した。さらに,PLの結果は,Zn濃度を4%および6%まで増加させることにより,緑色領域におけるZnドープPbO NPsに対する余分な発光を示した。しかし,赤色発光強度はZn濃度の増加により減少した。最終的に,FTOガラスを有する非ドープおよびZnドープPbO NPsを,可視および近赤外(NIR)領域におけるSnSe NPsの光電流応答を測定するための光アノードとして使用し,結果を光アノードとしてのFTO/TiO_2と比較した。それは,量子ドット太陽電池および色素増感太陽電池の光アノードとして典型的に使用された。非ドープおよびZnドープPbO NPsはデバイスの光電流性能の増強を引き起こすことが観察された。しかし,FTO/Zn(2%)ドープPbO/下での素子の応答性は,同じ照明光源下での他の素子の応答性よりも高かった。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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半導体のルミネセンス  ,  酸化物薄膜 
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