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J-GLOBAL ID：201802225688600479   整理番号：18A0971967

Mo膜の直接硫化によるりんドープp型MOS_2多結晶薄膜【JST・京大機械翻訳】

Phosphorous doped p-type MoS₂ polycrystalline thin films via direct sulfurization of Mo film

著者 (4件)： Momose Tomohiro (Graduate School of Integrated Science and Technology, Shizuoka University, 3-5-1 Johoku, Hamamatsu 432-8011, Shizuoka, Japan) ,  Nakamura Atsushi (Graduate School of Integrated Science and Technology, Shizuoka University, 3-5-1 Johoku, Hamamatsu 432-8011, Shizuoka, Japan) ,  Daniel Moraru (Graduate School of Integrated Science and Technology, Shizuoka University, 3-5-1 Johoku, Hamamatsu 432-8011, Shizuoka, Japan) ,  Shimomura Masaru (Graduate School of Integrated Science and Technology, Shizuoka University, 3-5-1 Johoku, Hamamatsu 432-8011, Shizuoka, Japan)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 8  号： 2  ページ： 025009-025009-8  発行年： 2018年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ドーパントとしてリン酸(P)を用いたSサイト,MoS_2薄膜におけるp型,置換型ドーピングの成功した合成について報告する。MOS_2薄膜を化学蒸着法によりモリブデン膜に直接硫化した。非ドープMoS_2膜はn型挙動を示し,Pドープ試料は10×10mm2面積試料のvan der Pauw(vdP)配置でHall効果測定によりp型挙動を示し,銀ペースト接触間のオーム挙動を示した。ドナーとアクセプタ濃度は,それぞれ~2.6×10~15cm-3と~1.0×10~19cm-3と検出された。Hall効果移動度は非ドープに対して61.7cm~2V~-1s-1であり,P供給速度により15.5~0.5cm~2V~-1s-1の範囲で変化した。しかしながら,電界効果トランジスタ(FET)の性能は,ソース/ドレイン接触上のNi電極とMoS_2バックゲートの間の領域が,トランジスタ幾何学で使用されたとき,3D材料として減少し,挙動することができない二重Schottky障壁接触により低下した。それにもかかわらず,FETは正孔輸送を示し,電界効果移動度はHall効果移動度の高い値を示し,p型挙動を持つアンドープMoS_2で76cm~2V~-1s-1,MoS_2:Pで43cm~2V~-1s-1であった。著者らの発見は,遷移金属ジカルコゲニドのドーピング制約への重要な洞察を提供する。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ドナー ,  化学蒸着 ,  ドーパント ,  Schottky障壁 ,  *薄膜 ,  三次元 ,  *硫化 ,  Hall効果 ,  移動度 ,  *ドーピング ,  アクセプタ ,  FET【トランジスタ】
準シソーラス用語： 電界効果移動度 ,  正孔輸送 ,  バックゲート , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： Mo膜 ,  硫化 ,  りん ,  ドープ ,  多結晶薄膜