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J-GLOBAL ID:201802225697971614   整理番号:18A1990678

前混合処理による使用済みSCR触媒からの低レベルシリコンによるバナジウムとタングステン浸出の最適化【JST・京大機械翻訳】

Optimizing vanadium and tungsten leaching with lowered silicon from spent SCR catalyst by pre-mixing treatment
著者 (9件):
資料名:
巻: 181  ページ: 230-239  発行年: 2018年 
JST資料番号: A0931B  ISSN: 0304-386X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,使用済みSCR(選択的触媒還元)触媒からのバナジウム(V),タングステン(W)およびケイ素(Si)の浸出挙動を評価し,25°Cおよび大気圧での低Si浸出によるV-W浸出を強化する前混合処理を開発した。浸出因子の影響を2つの直交配列実験によって系統的に研究し,次に,NaOH濃度と温度の単一変数因子による実験を行った。アルカリ,特にNaOHは,使用済みSCR触媒からのVとWの同時浸出のための最良の試薬である。温度又はNaOH/触媒比の増加はV及びW浸出速度を向上させた。最適条件(温度100°C,NaOH/触媒比0.9,L/S15,撹拌速度900rpmおよび時間240分)下で,68.3%V浸出速度および50.1%W浸出速度を得た。しかし,この条件下でのW/Si濃度比は1.4と低く,分離と経済の観点から受け入れられない。提案した前処理プロセスは,NaOHと触媒を予備混合し,時間を20分に短縮し,温度を25°Cに低下させたが,W/Si濃度比7.0を高くし,ほぼ等しい浸出速度(Vに対して67.7%,Wに対して56.3%)を得た。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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