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J-GLOBAL ID：201802225763741059   整理番号：18A0442675

高効率ペロブスカイトSiタンデム太陽電池のモデリング【Powered by NICT】

Modeling of high efficient perovskite-Si tandem solar cell

著者 (4件)： Hasan M. N. (Dept. of EEE, Chittagong University of Engineering and Technology, Chittagong-4349) ,  Habib M. M. (Dept. of EEE, Chittagong University of Engineering and Technology, Chittagong-4349) ,  Matin M. A. (Dept. of EEE, Chittagong University of Engineering and Technology, Chittagong-4349) ,  Amin N. (Department of Electrical, Electronic and Systems Engineering, National University of Malaysia)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EICT  ページ： 1-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンとペロブスカイト吸収体を組み合わせたタンデム太陽電池は,最新の高効率シリコン単接合素子より優れている可能性がある。有機-無機ハロゲン化鉛ペロブスカイトは,その高い効率のために,太陽光発電(PV)技術において重要な役割を持ち,軽量で費用対効果は,特にメチルアンモニウム鉛よう化物。これはタンデム太陽電池として1.124eVのエネルギーギャップを有するシリコン(Si)太陽電池と対であると互換性がある1.65eVのバンドギャップを持つ吸収体層として作用することができる。タンデムアプローチを15年間約25%付着されたSi太陽電池の効率を改善するための洗練された解決策である。WX増幅器シミュレーションを用いてSiペロブスカイトタンデム太陽電池に対する素子構成モデルの開発に焦点を当てた。ペロブスカイト層の厚さとドーパント濃度は太陽電池パラメータ性能に影響を与えた。WX増幅器シミュレーションから得られた効率結果は,0.9995V,短絡電流38.24mA~2および曲線因子83.34%の開回路電圧を持つSiペロブスカイトタンデム太陽電池のための31.85%であった。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： バンドギャップ ,  *モデリング ,  ドーパント ,  *ケイ素 ,  接合 ,  太陽光発電 ,  シミュレーション ,  ヨウ化物 ,  *太陽電池 ,  増幅器 ,  吸収体 ,  鉛
準シソーラス用語： シリコン太陽電池 ,  開回路電圧 ,  *タンデム太陽電池 ,  *高効率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高効率 ,  ペロブスカイト ,  Si ,  タンデム太陽電池 ,  モデリング