文献

J-GLOBAL ID：201802225777086796   整理番号：18A1809085

新しい通常のAlGaN/GaNキャップPHEMTの研究とそのゲート漏れ電流に及ぼすキャップ層厚さの影響【JST・京大機械翻訳】

Investigating a Novel Normally-On AlGaN/GaN Capped PHEMT and the Effects of Cap Layers Thickness on its Gate Leakage Current

著者 (3件)： Ghafouri Tara (Department of Electrical Engineering, K. N. Toosi University of Technology, Tehran, 1631714191, Iran) ,  Salehi Alireza (Department of Electrical Engineering, K. N. Toosi University of Technology, Tehran, 1631714191, Iran) ,  Mahmoodnia Hedie (Department of Electrical Engineering, K. N. Toosi University of Technology, Tehran, 1631714191, Iran)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ICEE  ページ： 305-310  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,AlGaN/GaNキャップしたシュードモルフィック高電子移動度トランジスタ(PHEMT)におけるキャップ層の厚さの効果を,Atlas/Silvacoシミュレータを用いて調べた。提案した構造は,ゲート漏れ電流を最小にするために,AINスペーサとGaNバッファ層の間のIn_0_15G_a0.85N層の挿入と異なる層寸法の最適化により,文献で報告された以前のAlGaN/GaNキャップHEMTを改善した。シミュレーション結果は,±b10~14(A)のゲート漏れ電流と11桁以上のI_オン/I_offを示し,従って,それは,以前の非最適構造のものより3桁高い。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  最適化 ,  シミュレーション ,  シミュレータ ,  *HEMT ,  スペーサ ,  バッファ層
準シソーラス用語： *キャップ層 ,  *ゲート漏れ電流 ,  *PHEMT ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (8件)： AlGaN ,  GaN ,  キャップ ,  PHEMT ,  研究 ,  ゲート漏れ電流 ,  キャップ層 ,  厚さ