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J-GLOBAL ID:201802225807204046   整理番号:18A2022596

炭素ドープエミッタを用いた超薄GaAs二重接合太陽電池【JST・京大機械翻訳】

Ultra-Thin GaAs Double-Junction Solar Cell With Carbon-Doped Emitter
著者 (12件):
資料名:
巻:号:ページ: 1627-1634  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2305A  ISSN: 2156-3381  CODEN: IJPEG8  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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よりスケーラブルなプロセス(金属-有機化学蒸着)を用いて,超薄GaAsセル(<200nm)の堆積における課題に取り組んだ。110nm厚のトップセルを持つGaAs/GaAs二重接合太陽電池の結果を示した。このアーキテクチャの電流,電圧,充填因子,および効率は,炭素ドーピングにより上部セルのエミッタに亜鉛ドーピングを置き換えることにより改善される。炭素ドーピングは,二次イオン質量分光測定と良く一致する明確な活性接合プロファイルをもたらすことを見出した。さらに,炭素ドーピングがエミッタ中のインジウムの取り込みと一致することを見出した。インジウムの取り込みが材料中に応力を解放し,これがGaAs膜のより滑らかな形態をもたらすと仮定した。最後に,炭素ドーピング過程で達成された効率は,GaAs/GaAs二重接合セルに対して19.2%であることを示した。開回路電圧は,超薄(110nm)GaAs上部セルで1.087V,二重接合セルで2.08Vであった。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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太陽電池 
タイトルに関連する用語 (5件):
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