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J-GLOBAL ID:201802225807753319   整理番号:18A1035272

Co/SiO_2/Si膜における厚み誘起一軸異方性と予想外の四重対称性【JST・京大機械翻訳】

Thickness induced uniaxial anisotropy and unexpected four-fold symmetry in Co/SiO2/Si films
著者 (10件):
資料名:
巻:号:ページ: 056311-056311-7  発行年: 2018年 
JST資料番号: U7121A  ISSN: 2158-3226  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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パルスレーザ蒸着法(PLD)によりSiO_2/Si基板上に厚さ20~160nmのCO膜を作製した。Co結晶はCo膜厚の増加と共にバルクhcp Coの構造を持つ傾向があり,Co膜の保磁力は結晶粒サイズの変化により膜厚の増加と共に減少することが分かった。120nm以下の厚さのCo膜では一軸異方性が見られたが,120nm以上の厚さのCo膜は強く交換結合したhcp Co粒の二つの型(方向)の存在に起因する予想外の四重異方性を示した。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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JSTが定めた文献の分類名称とコードです
金属結晶の磁性  ,  金属薄膜 

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