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J-GLOBAL ID：201802225860908632   整理番号：18A1210970

CMOS技術に基づくRFエネルギーハーベスティングについて【JST・京大機械翻訳】

On the RF energy harvesting based on CMOS technology

著者 (3件)： Wong Hei (Dept. of Electronic Engineering, City University of Hong Kong, Tat Chee Avenue, Kowloon, Hong Kong) ,  Wang Waiyin (Institute of Microelectronics and Photonics, Zhejiang University, Hangzhou, China) ,  Chen Zehua (Institute of Microelectronics and Photonics, Zhejiang University, Hangzhou, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ISNE  ページ： 1-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： RFエネルギー収穫は,埋め込まれた遠隔電子機器を電力化するための可能なオプションの一つとして認識されている。無線充電,RFIDシステム,遠隔充電などの技術と製品があり,技術的実現可能性を実証した。RF源の電力レベルが十分であることを示した。しかし,環境低電力RFエネルギー収穫のためには,まだ非常に挑戦的な技術課題である。利用可能なシステムにおけるRF電力レベル放出に関する規制と実装のための主流ディジタルCMOS技術の使用により,達成可能な電力レベルと電力効率は,ほとんどの応用の要求の下にある。変換効率を最大にし,十分なエネルギーを得るために,収穫システムのあらゆるビルディングブロックのための最適設計が必要である。本レビューは,低閾値PMOSデバイス,ボディバイアス,ゲート補償,電荷ポンプ設計のための低損失CMOSスイッチ,およびパルススキップ変調技術を用いた適応電圧調整のようなRF/DC変換を強化するためのいくつかの方法を強調した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電力効率 ,  スイッチ ,  ディジタル方式 ,  充電 ,  *電力 ,  電圧制御 ,  最適設計
準シソーラス用語： チャージポンプ回路 ,  基板バイアス ,  ビルディングブロック ,  低電力化 ,  電力レベル ,  ワイヤレス ,  *エネルギーハーベスティング ,  *CMOS技術 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (2件)： CMOS技術 ,  RFエネルギーハーベスティング