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J-GLOBAL ID：201802225998870494   整理番号：18A2068758

表面プラズモン共鳴を用いた100MeV Ni7+イオン照射WO_3薄膜の詳細な光学分析【JST・京大機械翻訳】

Detailed optical analysis of 100 MeV Ni⁷⁺ ion irradiated WO₃ thin films using Surface Plasmon Resonance

著者 (7件)： Sharma Savita (Department of Physics and Astrophysics, University of Delhi, Delhi 110007, India) ,  Sharma Savita (Department of Applied Physics, Delhi Technological University, Delhi 110042, India) ,  Paliwal Ayushi (Department of Physics and Astrophysics, University of Delhi, Delhi 110007, India) ,  Tomar Monika (Physics Department, Miranda House, University of Delhi, Delhi 110007, India) ,  Singh Fouran (Inter University Accelerator Centre, Aruna Asaf Ali Marg, New Delhi 110075, India) ,  Puri Nitin K. (Department of Applied Physics, Delhi Technological University, Delhi 110042, India) ,  Gupta Vinay (Department of Physics and Astrophysics, University of Delhi, Delhi 110007, India)
資料名： Radiation Physics and Chemistry  (Radiation Physics and Chemistry)
巻： 153  ページ： 51-57  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0627A  ISSN： 0969-806X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 100MeV Ni7+イオン照射後のRFスパッタWO3薄膜の構造的,光学的性質および表面形態の変化を本論文で報告した。WO_3薄膜を異なるスパッタリング圧力(10~50mTorr)で蒸着した。照射による粒成長にもかかわらず,30mTorrまでの成長圧力まで堆積したWO_3薄膜では,構造相転移は観測されなかった。しかし,50mTorrのスパッタリング圧力で成長させた斜方晶WO_3薄膜に対して完全な非晶質化後照射が検出された。AFM画像は,元のWO_3薄膜が滑らかな表面形態を有する均一な結晶粒から成ることを示した。照射により,全てのスパッタリング圧力で表面粗さ(R_q)の増加と共に結晶粒サイズは一貫して増加した。AFM分析から推定した二乗平均粗さ(R_q)は,元の膜の1.76nmから1×1012イオンcm-2のフルエンスでの照射に応答して9.89nmに増加した。照射により光学バンドギャップの系統的な減少が観測され,これはNi7+イオン誘起の中間ギャップとバンド端近傍の欠陥状態と相関している。表面プラズモン共鳴(SPR)技術は,未処理および照射WO_3薄膜の光学特性を研究するための適切なツールとして認識されている。SPR反射率曲線を,種々の蒸着圧力で蒸着した,未処理およびNi7+イオン照射WO_3膜に対する633nm励起波長における角度質問モードで記録した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光学的性質 ,  *イオン照射 ,  斜方晶系 ,  結晶粒 ,  結晶粒径 ,  アモルファス化 ,  薄膜成長 ,  *薄膜 ,  表面粗さ ,  蒸着 ,  画像 ,  RFスパッタリング ,  光学ギャップ ,  フルエンス ,  結晶成長
準シソーラス用語： 表面形態 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 照射 ,  スパッタリング ,  バンドギャップ ,  フルエンス ,  薄膜

分類 (3件)： その他の物質の放射線による構造と物性の変化  (BK16124V) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 表面プラズモン共鳴 ,  イオン照射 ,  薄膜