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J-GLOBAL ID:201802226000377163   整理番号:18A1259079

電磁法によるフラッシュオーバ電圧の改善に関するモンテカルロシミュレーション【JST・京大機械翻訳】

Monte-carlo simulation on improving flashover voltage through electromagnetic methods
著者 (5件):
資料名:
巻: 2018  号: ICPADM  ページ: 336-340  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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真空フラッシオーバの発生前に,表面帯電現象と結合した安定なステージを達成することができ,それは飽和二次電子放出(SSEE)ステージと呼ばれる。絶縁体表面に垂直な外部電場と絶縁体に平行な磁場の影響を,DC条件下での2Dモンテカルロと粒子内セル(PIC)法を用いたシミュレーションに基づいて調べた。結果は,電界引き下げ電子が表面電荷を減少させることができるが,反対方向の場は表面電荷を増加させることができることを示した。後者は,マルチパクタの形成時間を遅らせ,フラッシオーバ電圧を増加させることもできる。外部磁場の異なる分布についてもシミュレーションにより調べ,陰極場が真空フラッシュオーバを緩和するのに十分であることを証明した。ある場合には,SSEEステージは外部電磁場の影響によりまだ達成されず,表面電荷の修正は外部磁場の完全な補償をもたらし,最終的には余分な場が適用されない状況に類似した段階をもたらす。したがって,等価電荷層の理論を提案し,表面電荷に及ぼすそのような影響を説明し,それに応じて,プレセット表面電荷の状況との平行性も引き出すことができた。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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気体放電  ,  絶縁材料 
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