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J-GLOBAL ID：201802226048875080   整理番号：18A0799313

エピタキシャルリフトオフにより作製した光トラッピング増強薄膜III-V量子ドット太陽電池【JST・京大機械翻訳】

Light-trapping enhanced thin-film III-V quantum dot solar cells fabricated by epitaxial lift-off

著者 (14件)： Cappelluti F. (Department of Electronics and Telecommunications, Politecnico di Torino, Corso Duca degli Abruzzi 24, 10129 Torino, Italy) ,  Kim D. (Department of Electronic and Electrical Engineering, University College London, Torrington Place, London WC1E 7JE, United Kingdom) ,  van Eerden M. (Institute for Molecules and Materials, Radboud University, Toernooiveld 1, 6525 ED Nijmegen, The Netherlands) ,  Cedola A.P. (Department of Electronics and Telecommunications, Politecnico di Torino, Corso Duca degli Abruzzi 24, 10129 Torino, Italy) ,  Aho T. (Optoelectronics Research Centre, Photonics Laboratory, Tampere University of Technology, P.O. Box 692, FIN-33101 Tampere, Finland) ,  Bissels G. (tf2 devices B.V., Heyendaalseweg 135, 6525 AJ Nijmegen, The Netherlands) ,  Elsehrawy F. (Department of Electronics and Telecommunications, Politecnico di Torino, Corso Duca degli Abruzzi 24, 10129 Torino, Italy) ,  Wu J. (Department of Electronic and Electrical Engineering, University College London, Torrington Place, London WC1E 7JE, United Kingdom) ,  Liu H. (Department of Electronic and Electrical Engineering, University College London, Torrington Place, London WC1E 7JE, United Kingdom) ,  Mulder P. (Institute for Molecules and Materials, Radboud University, Toernooiveld 1, 6525 ED Nijmegen, The Netherlands) ,  Bauhuis G. (Institute for Molecules and Materials, Radboud University, Toernooiveld 1, 6525 ED Nijmegen, The Netherlands) ,  Schermer J. (Institute for Molecules and Materials, Radboud University, Toernooiveld 1, 6525 ED Nijmegen, The Netherlands) ,  Niemi T. (Optoelectronics Research Centre, Photonics Laboratory, Tampere University of Technology, P.O. Box 692, FIN-33101 Tampere, Finland) ,  Guina M. (Optoelectronics Research Centre, Photonics Laboratory, Tampere University of Technology, P.O. Box 692, FIN-33101 Tampere, Finland)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 181  ページ： 83-92  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n-i-p+深い接合構造を持つ薄膜InAs/GaAs量子ドット(QD)太陽電池と,完全3インチウエハのエピタキシャルリフトオフ(ELO)により作製した平面背面反射器を報告した。外部量子効率測定は,ウエハに基づくQDセルと比較して,ELO QDセルにおけるQD光電流の2倍の増強を実証した。GaAs波長範囲において,ELO QDセルはベースライン単一接合ELOセルの電流収集効率を完全に保持した。ELOセルリーサイドにマイクロパターン回折格子を集積した全波光学シミュレーションにより,QDによる近赤外集光の10倍以上の増強が得られることを実証した。実験結果を,QD動力学と欠陥がセル光起電力挙動に及ぼす影響を単一にするために,物理ベースのシミュレーションの助けを借りて徹底的に議論した。QDスタックにおける非放射再結合は,報告されたデバイスの開回路電圧(Voc)に対するボトルネックであることを実証した。より重要なことに,著者らの理論計算は,高品質III-V QD太陽電池の実験データの収集からの0.3VのVocオフセットは,達成可能なVocを測定し,非放射再結合を低減することにより改善の範囲を定量化する信頼できるものであることを実証した。材料品質の問題を解決することにより,輸送と厳密な電磁シミュレーションにより,20InAs/GaAs QD層を持つ光トラッピング増強薄膜セルが,非集光光,周囲温度下で28%より高い効率に達することを実証した。光子リサイクルが完全に利用できれば,30%の効率が実行可能であると考えられる。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 品質 ,  *光トラッピング ,  ヒ化ガリウム ,  *薄膜 ,  集光 ,  *太陽電池 ,  近赤外線 ,  光電流 ,  光起電力 ,  ヒ化インジウム ,  接合 ,  *量子ドット
準シソーラス用語： 開回路電圧 ,  非放射再結合 ,  外部量子効率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 太陽電池 ,  薄膜 ,  エピタキシャルリフトオフ ,  量子ドット ,  光トラッピング

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： エピタキシャルリフトオフ ,  作製 ,  光トラッピング ,  増強 ,  薄膜 ,  量子ドット太陽電池