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J-GLOBAL ID：201802226064367474   整理番号：18A0719624

ZnO:Al電子輸送層を持つZnTe:Crに基づく高性能中間バンド太陽電池【JST・京大機械翻訳】

High performance intermediate-band solar cells based on ZnTe:Cr with ZnO:Al electron transport layer

著者 (3件)： Lee Kyoung Su (Quantum-Function Research Laboratory and Department of Physics, Hanyang University, Seoul 04763, Republic of Korea) ,  Oh Gyujin (Quantum-Function Research Laboratory and Department of Physics, Hanyang University, Seoul 04763, Republic of Korea) ,  Kim Eun Kyu (Quantum-Function Research Laboratory and Department of Physics, Hanyang University, Seoul 04763, Republic of Korea)
資料名： Solar Energy  (Solar Energy)
巻： 164  ページ： 262-266  発行年： 2018年 
JST資料番号： E0099A  ISSN： 0038-092X  CODEN： SRENA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CrドープZnTe(ZnTe:Cr)薄膜中の中間バンドを解析し,高性能中間バンド太陽電池(IBSCs)を高品質ZnO:Al電子輸送層(ETL)で作製した。紫外光電子分光法と深準位過渡分光法によるZnTe:Cr吸収層のエネルギーバンド構造と欠陥状態を研究し,次に,2つの欠陥準位,L2とL4を価電子帯の上に0.3と1.14eVに位置させた。特に,L4欠陥の1.14eV活性化エネルギーはCr+からCr2+への還元に必要なエネルギーに対応し,これらの欠陥はZnTe:Cr薄膜で観測される中間バンドの原因であることを確認した。光学的および電気的測定から,1mTorrの部分酸素圧(p(O_2))下で成長させたZnO:Al薄膜は,高い移動度,低い抵抗率および少数のアンチサイト酸素欠陥を示した。最後に,1mTorr p(O_2)の下で成長させたZnO:AlのETLを有するZnTe:Cr IBSCは,8.13%の光電変換効率を示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *アルミニウム ,  *テルル化亜鉛 ,  薄膜 ,  *クロム ,  深準位過渡分光法 ,  *酸化亜鉛 ,  ドーピング ,  活性化エネルギー ,  移動度 ,  電気抵抗率 ,  価電子バンド ,  欠陥準位 ,  *太陽電池
準シソーラス用語： *中間バンド ,  *電子輸送層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 中間バンド ,  CrドープZnTe ,  パルスレーザ蒸着 ,  太陽電池

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： ZnO ,  Al ,  電子輸送層 ,  ZnTe ,  Cr ,  高性能 ,  中間バンド太陽電池