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J-GLOBAL ID：201802226093191199   整理番号：18A1899996

GaAs電力増幅器の故障解析【JST・京大機械翻訳】

Gallium arsenide power amplifier failure analysis

著者 (9件)： Jiang Pengbo (School of Electronic Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengtu, China) ,  Chen Jie (Department of Microwave, Chengdu Yaguang Electronics Co. Ltd, Chengtu, China) ,  Hong Tao (School of Electronic Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengtu, China) ,  Hu Yongda (School of Electronic Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengtu, China) ,  Li Qiang (School of Electronic Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengtu, China) ,  Luo Chuan (School of Electronic Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengtu, China) ,  Bao Shengxiang (School of Electronic Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengtu, China) ,  Duan Zongzhi (Department of Microwave, Chengdu Yaguang Electronics Co. Ltd, Chengtu, China) ,  Liu Huan (School of Electronic Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengtu, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ICEPT  ページ： 52-54  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マイクロ波電力増幅器の負荷実験において,ヒ化ガリウム電力増幅器チップが失敗したことが分かった。チップの亀裂を光学顕微鏡で観察し,チップ表面上のマイクロストリップ伝送線路の損傷を走査電子顕微鏡で観察した。マイクロストリップ伝送線路は壊れ,小さな球状突起(Figure1)を形成する。送電線における破壊の下では,チップを通過するチップ上の長い亀裂である。マイクロストリップ伝送線路の旋削サイトにおけるAl,Au,およびSiの含有量は3%,14%および3%であり,破断の底のAl,AuおよびSiの含有量は1%,11%および2%であり,3つのサイトの含有量は切断サイトの底部より高かった。大電流がマイクロストリップ伝送線路を通過するとき,融合サイトの金層は電気めっき中の金層の不均一な厚さのために薄すぎることを解析した。大電流が通過すると,エレクトロマイグレーションが起こり,そのため,圧延したマイクロストリップ線路に穴がある。エレクトロマイグレーション後の時間経過後,伝送線路は薄くなり,抵抗は増加した。同じ電流流の後,大量の熱が発生し,過剰熱は直ちに行うことができず,局所温度の上昇をもたらす。局所温度は約1000°Cにさえ達し,そのため,金層は溶融し,ポリ凝縮はボール(FIG1)を形成するか,またはチップ表面上のアルミニウム配線は瞬間的に蒸発し,表面上の金層を破壊する。損傷領域における過渡的高温のために,GaAsチップの局所温度上昇は非常に大きく,熱膨張は非常に厳しい。熱膨張応力伝搬速度がチップの熱伝導速度より高いとき,チップの近傍はまだ室内温度にあるが,応力強度はチップよりも大きく,チップ亀裂はGaAs単結晶の最も脆弱な結晶面に沿って広がり,亀裂は全チップを横切って横方向に走る。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 熱膨張 ,  マイクロストリップ線路 ,  電流 ,  高温 ,  *電力増幅器 ,  走査電子顕微鏡 ,  エレクトロマイグレーション ,  *ヒ化ガリウム ,  アルミニウム ,  旋削 ,  電気めっき ,  配線 ,  亀裂 ,  ケイ素
準シソーラス用語： 大電流 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaAs ,  電力増幅器 ,  故障解析