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J-GLOBAL ID：201802226252075414   整理番号：18A1413284

パルスレーザによるシリコンの温度蓄積効果の数値シミュレーション【JST・京大機械翻訳】

Numerical simulation of the accumulative photo-thermal effect in silicon under illumination with sequential laser pulses

著者 (5件)： Sun Peng (中国工程物理研究院 微系統与太赫zi研究中心,四川 成都 610200;中国工程物理研究院 電子工程研究所,四川 綿陽 621999) ,  Li Mo (中国工程物理研究院 微系統与太赫zi研究中心,四川 成都 610200;中国工程物理研究院 電子工程研究所,四川 綿陽 621999) ,  Yang Qingxin (哈爾浜工業大学 物理系,黒竜江 哈爾浜,150000) ,  Tang Ge (中国工程物理研究院 微系統与太赫zi研究中心,四川 成都 610200;中国工程物理研究院 電子工程研究所,四川 綿陽 621999) ,  Zhang Jian (中国工程物理研究院 微系統与太赫zi研究中心,四川 成都 610200;中国工程物理研究院 電子工程研究所,四川 綿陽 621999)
資料名： Tai Hezi Kexue Yudianzi Xinxi Xuebao  (Tai Hezi Kexue Yudianzi Xinxi Xuebao)
巻： 16  号： 1  ページ： 158-163  発行年： 2018年 
JST資料番号： C3004A  ISSN： 2095-4980  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 単一温度モデルを用いて,ナノ秒パルスレーザの下のシリコンの温度蓄積効果を数値的にシミュレーションした。単一パルスとマルチパルスの作用下で、シリコン表面付近の非平衡キャリアの濃度、自由キャリアの吸収係数と格子温度の時間に伴う変化規律を示した。結果は,自由キャリア濃度の蓄積が温度蓄積の主要源であることを示した。パルス間隔が短いほど,パルス間隔が短くなるほど,パルス幅が狭く,温度蓄積効果がより明確になり,最終形成の瞬間格子の最高温度と温度上昇が大きくなり,材料の損傷が容易になった。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 吸収係数 ,  昇温 ,  最高気温 ,  *ケイ素 ,  非平衡状態 ,  *パルス ,  モデル ,  パルス幅 ,  *パルスレーザ ,  ナノ秒
準シソーラス用語： 格子温度 ,  自由キャリア ,  *数値シミュレーション ,  累積効果 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： laser pulse ,  accumulative photo-thermal effect ,  lattice temperature ,  repetition rate ,  damage threshold ,  pulse width

分類 (1件)： レーザ照射・損傷  (BK16040S)

タイトルに関連する用語 (4件)： パルスレーザ ,  シリコン ,  蓄積効果 ,  数値シミュレーション