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J-GLOBAL ID：201802226256823474   整理番号：18A1028654

太陽光発電モジュールのMOSFETベースモデリングとシミュレーション【JST・京大機械翻訳】

MOSFET-based modeling and simulation of photovoltaics module

著者 (3件)： Mahto Rakeshkumar (Department of Electrical and Computer Engineering, University of New Mexico, Albuquerque, NM 87131, USA) ,  Zarkesh-Ha Payman (Department of Electrical and Computer Engineering, University of New Mexico, Albuquerque, NM 87131, USA) ,  Lavrova Olga (Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM, 87114, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PVSC  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 通常,単一ダイオード,二重ダイオードまたは3ダイオードモデルをPVセルのモデリングに用いた。それらの全てはダイオードの存在により指数項を持つので,PVモジュールの出力と性能の計算は電力集約的になり,組込みシステム上で実装するのが困難になる。また,指数項の存在により,I_PV対V_PV(PVセルの出力電圧対PVセルの出力電流)に対する閉形式解は存在しない。指数項を持たないNチャネルMOSFETトランジスタを用いたPVモジュールモデリングを示した。さらに,負荷電流を計算するために解くことができる二次方程式ベースの解を得た。同じ技術を用いて,PVモジュールも種々の構成に対してモデル化できる。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *モデリング ,  電力 ,  集中化 ,  ダイオードモデル ,  二次方程式 ,  *MOSFET ,  *太陽光発電 ,  組込みシステム ,  ダイオード
準シソーラス用語： 負荷電流 ,  Nチャネル ,  閉形式解 ,  出力電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽光発電  (NB03090G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 太陽光発電 ,  モジュール ,  MOSFET ,  モデリング ,  シミュレーション