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J-GLOBAL ID：201802226273217794   整理番号：18A0757824

不均一界面障壁の内部光電子放出計測【JST・京大機械翻訳】

Internal Photoemission Metrology of Inhomogeneous Interface Barriers

著者 (4件)： Afanas’ev Valery (Laboratory of Semiconductor Physics Department of Physics and Astronomy University of Leuven, Celestijnenlaan 200D, Box 2417, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Kolomiiets Nadiia (Laboratory of Semiconductor Physics Department of Physics and Astronomy University of Leuven, Celestijnenlaan 200D, Box 2417, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Houssa Michel (Laboratory of Semiconductor Physics Department of Physics and Astronomy University of Leuven, Celestijnenlaan 200D, Box 2417, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Stesmans Andre (Laboratory of Semiconductor Physics Department of Physics and Astronomy University of Leuven, Celestijnenlaan 200D, Box 2417, B-3001 Leuven, Belgium)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 215  号： 6  ページ： e1700865  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多結晶材料から複合材料までの範囲の不均一固体の界面はナノテクノロジーでしばしば遭遇する。これらの材料の電子輸送とそれらの界面を横切る電子輸送は,その方法に遭遇するエネルギー障壁電子に大きく依存する。電極の構造的不均一性のために,障壁は障壁高さと内蔵電位の広い分布をもたらす顕著な空間的変動を示す可能性がある。分布した界面障壁の定量化は,外部自由表面のそれらと界面特性の直接的な関係が一般的に不正確であるので,形成可能な実験的挑戦を表す。ここでは,電子の電場依存性内部光発光(IPE)を用いて絶縁体を持つ半導体と金属の界面における電子障壁の定量化を可能にする方法論を提示した。実際に関連する界面は,障壁高さ(または有効仕事関数)が1eVまで変化する「パッチ」を含む可能性があり,電極不均一性が低電圧動作に適した電子デバイスの設計における重要な因子であることを示した。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *光電子放出 ,  複合材料 ,  発光 ,  ナノテクノロジー ,  *界面 ,  多結晶 ,  不均一性 ,  仕事関数 ,  半導体 ,  金属
準シソーラス用語： 電場依存性 ,  界面特性 ,  障壁高さ ,  エネルギー障壁 ,  電子輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 効果的な仕事関数 ,  界面障壁 ,  界面双極子 ,  内部光電子放出 ,  偏光層

分類 (4件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  ダイオード  (NC03050R) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 不均一 ,  界面 ,  障壁 ,  光電子放出 ,  計測